找到约 2925 条相关结果

英飞凌碳化硅产品系列“妙”在哪里?

文章 2023-01-04 21:15

... 高的稳定度。 650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 ... (RDS(on)),650 V CoolSiC™ MOSFET具备优异的热性能。此外, ...

碳化硅与硅在汽车市场大动干戈

文章 2023-01-13 19:25

... 更进一步。 从技术角度看,SiC MOSFET功率模块面临的问题和IGBT一样 ... ST的SiC MOSFET差别很大。从那以后,研发SiC MOSFET的头部半导体 ... 于直接采用上游厂商提供的SiC MOSFET模块。 因此,SiC技术应用成功 ...

电池快速充电指南——第1部分

文章 2023-03-30 16:21

... 图2)。 图2.包含充电MOSFET调节功能的电量计框图。 图 ... :热限制 → 降低电压。 CT:MOSFET温度限制 → 降低电压。 压差: ... 标志,在MOSFET温度过高时置位。热限制和MOSFET限制设置使用 ...

电源设计说明:分析用于高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件

文章 2022-12-21 15:40

... UnitedSiC 的 UJ4SC075006K4S SiC FET MOSFET · Transphorm 的 TP65H150G4PS GaN FET MOSFET 第一款 UJ4SC075006K4S 器件非常 ...

罗姆与马自达和今仙电机就使用了碳化硅功率模块的e-Axle用逆变器签署联合开发协议

文章 2022-11-23 10:15

... 有助于今后开发出更具竞争力的碳化硅MOSFET和模块。 三方的目标不仅仅是 ... 2020年完成开发的新一代碳化硅MOSFET(第4代),改善了 ... /products/sic-power-devices 第4代SiC MOSFET相关的支持内容: ・概要介绍视频 ...

.GaN 功率器件,D 模式 HEMT技术选择介绍

文章 2022-11-30 10:00

... ,GaN 可以与当前的 MOSFET 和超结 (SJ) MOSFET 竞争。 GaN HEMT(高电子 ... HEMT 通常与级联低压 (LV) Si MOSFET 或直接驱动方法结合使用。现在 ... 每一个。 级联 d 模式/Si MOSFET Transphorm 和 Nexperia 是制造级联设备 ...

创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023

文章 2023-08-29 16:56

...  CoolMOS™ S7超结MOSFET和750V CoolSiC™ MOSFET则能够助力实现高效节能的 ... 抬头显示系统、CoolMOS™和OptiMOS™功率MOSFET、CoolGaN™ SG HEMT开关、CoolMOS™ QDPAK ...

瞬态负载为电力系统提供低频正弦波

文章 2024-05-30 13:40

... 施密特触发器输入的MOSFET 驱动器 U1用于驱动 MOSFET,并与 Q2、R8 ... 冷却解决方案。 R6 和 R7 结合 MOSFET 的输入电容 C ISS独立调整上升 ... 散阻尼,MOSFET 栅极开关谐振不会很显着。当 MOSFET 关闭时, ...

汽车自动驾驶技术中的功率电子技术设计

文章 2024-06-26 15:16

... 飞兆半导体的40V和60V PowerTrench MOSFET器件、高侧开关以及智能点火 ... 系统性和随机性故障,使用分立MOSFET、智能MOSFET功率开关以及IGBT等电子器件来 ... 以及保护电路。 图1,智能MOSFET结构图。 SPD的主要目标是 ...

细说Buck降压电路,同步和非同步的波形长啥样?

文章 2025-06-08 17:16

... 电路把这个二极管用一个MOSFET给替代了,这个MOSFET被称为“下管”, ... 同步Buck电路工作起来了。但是MOSFET不是理想的开关特性,它 ... 此时,Vin通过两个打开的MOSFET直连到GND,形成了短路 ... 5V、3.3V等。 开关管MOSFET在图中为Q1, Vin接 ...