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... 关闭驱动 Q2 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的 HGATE 电压。将连接到 OV ... 瞬变保护 LM74810-Q1 连同适当的 MOSFET 和输入瞬态电压抑制 (TVS)， ... LM74810-Q1 就会重新开启并启用 MOSFET 以进行正常操作。 在 ISO 7637 ...
... 电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，即使 MOSFET处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量 ... 散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。MOSFET并联后，不同器件 ...
... 控制栅极，并在同步整流 (SR) MOSFET 电流降至零时关闭栅极。 在 ... 达到 -86mV 的开启阈值，则 MOSFET 在开启延迟(约 30ns)后开启。 ... 到 -40mV 左右。 该功能在同步 MOSFET 关断时将驱动器电压保持在 ...
... 成本并更加小型化 BD9F500QUZ是内置MOSFET(同步整流型*4)的非隔离型 ... 采取散热措施(通过外置散热器和MOSFET来分散热量)，而ROHM新产品 ... 控制方式。非同步整流由一个MOSFET(晶体管)和一个二极管组成，同步整流 ...
... 硅IGBT驱动器。对于SiC和GaN MOSFET，需要高CMTI >100 kV/μs ... 把第三代SiC MOSFET以及第一代和第二代GaN MOSFET带向市场。 ... 可以全面评估用于驱动SiC和GaN MOSFET的ADI系列IC。 图9.隔离 ...
... 可提供6个步进电流。 MOSFET Q1、Q3和Q5高频(HF)切换 ... )切换。当一个低频MOSFET处于开状态，而且一个高频MOSFET 处于切换状态时 ... L1、L2和Q4。 步骤2)MOSFET Q1关断。因为电感不能 ...
... MOSFET、750 V SiC MOSFET 、900 V SiC MOSFET、1200 V SiC MOSFET、1700 V SiC MOSFET ... 1200 V SiC MOSFET扩展现有宽禁带系列，提供超越硅MOSFET的性能， ...
... 导通回路(绿色箭头)经电感，MOSFET，Rsense回小电容，与截止 ... 的电压波形，由波形可知在MOSFET的Drain端与Diode的正端 ... 的走线。 另外，IC驱动MOSFET的栅极回路里也会回到IC ...
... ：1200V 第4代SiC MOSFET 产品类型：SiC MOSFET 公司名称：ROHM Co., Ltd ... 产品名称：IX4351NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 产品类型：驱动器 公司 ...
... ，正确的做法是要选用MOSFET器件，MOSFET器件的使用寿命要远远长于 ... 选用耐压600V的MOSFET 耐压600V的MOSFET比较便宜，很多认为 ... 600V耐压的MOSFET，最好选用耐压超过700V的MOSFET。 尽量 ...
