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... 内置 10mΩ 下管 MOSFET (LS-FET) 和15mΩ 同步上管 MOSFET (HS-FET)，可 ... 输出电压 (VOUT) · 集成 15mΩ/10mΩ 功率 MOSFET · 19A 内部开关电流限制或可 ...
... 然而，在现实世界中，功率 MOSFET 和印刷电路板 (PCB) 布局中的寄生 ... ：具有寄生效应的半桥驱动器 MOSFET过电流 我要提到的最后一个 ... MOSFET 的栅极驱动器的系统，我们必须注意不要违反 MOSFET 安全工作区域。功率 MOSFET ...
... 设计可能会遇到启动问题——甚至是 MOSFET 或集成电路故障。 LM25066 设计计算器等 ... 控制器（例如TPS24770）可能会限制 MOSFET 的功耗，而其他控制器可能不会。 为了检查 MOSFET 是否存在风险，我们需要考虑热 ...
... 输入开关网络中的 MOSFET 输出电容器进行放电。如果在 MOSFET 栅极信号变高 ... ）对一个 MOSFET的 C oss进行放电并为另一个 MOSFET的 C oss充电。假设半桥的两个 MOSFET的 C ...
... 受限的设计都使用带有集成功率 MOSFET (iFET) 的负载点 (POL) 转换器来 ... 特定特性或功能的控制器。分立式 MOSFET 或电源模块在满足效率、热 ... 可能不是可用的选择。 分立式 MOSFET 和电源模块允许我们根据需要调整 ...
... 控制器和外部 MOSFET 时，这些应用的电路板空间非常有限。 MOSFET 和封装技术 ... TI 的 2.x NexFET™ 功率 MOSFET等新一代 MOSFET在给定的硅面积中提供 ... 的PowerStack™ 封装技术将集成电路 (IC) 和 MOSFET 堆叠在一起（见图 1） ...
... 功耗。 19 驱动N沟道MOSFET晶体管 在选择与 3.3V 单片机配合 ... 的外部 N 沟道MOSFET 时，一定要小心。MOSFET 栅极阈值电压表明 ... ，可以显著减小漏电流。 对于 MOSFET，低阈值器件较为常见， ...
... 。之前的讨论假设N沟道MOSFET开关在栅极电压为低电平(例如 ... )N沟道MOSFET，栅极电压必须比电源电压至少高出MOSFET阈值电压 ... N沟道MOSFET，同时静态功耗较低。P沟道MOSFET不需要使用 ... ，而高电压打开P沟道MOSFET开关。 再来看电阻分压器 ...
... 达到 -80mV 的开启阈值，则 MOSFET 在开启延迟 tDON(大约 20ns)后开启 ... ，降低栅极电压电平以增大同步 MOSFET 的导通电阻。 使用这种控制 ... 发生这种情况，建议在 SENSE 和 MOSFET 漏极之间放置一个外部电阻器。 ...
... ，保证通讯系统正常运行。碳化硅MOSFET的高频特性使得电源电路中的 ... 器件种类多样，主要包括二极管、MOSFET、IGBT等，分别适用于不同 ... 碳化硅器件市场还以二极管为主，MOSFET尚未大规模推广，IGBT仍在研发 ... 目前最主要的碳化硅器件。碳化硅MOSFET可替代硅基IGBT，大规模应用 ...
