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... ，例如碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET）。 第一代半导体材料主要是 ... 电池充电器快速增长的市场。碳化硅MOSFET之所以如此具有吸引力，是因为它们具有 ... 中设计的，可以充分利用碳化硅MOSFET。 SIC功率器件（例如SICMOS） ...
... 公式： PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗，如果是外置MOSFET这个参数会 ... 。 但是对于电源芯片的内置MOSFET，一般只会提供Rds，关于 ...
... 封装技术，包括分立IGBT、SiC MOSFET、隔离门极驱动器和创新的 ... 800 V电池电动汽车系统，SiC MOSFET提供优于硅的开关性能和更 ... 推出集成SiC的混合IGBT、SiC MOSFET、汽车功率模块 (APM) ，应用于 ...
... 不适合大多数目标应用。 大多数集成MOSFET的SMPS开关均采用平面工艺。 ... 并包含PWM控制器和SUPERFET 2功率MOSFET。 通常，实现800V击穿电压需要 ...
... 。 大多数开关稳压器使用N沟道MOSFET作为有源开关。这些开关针对 ... 除了具有本身的开关功能外，MOSFET还具有所谓的体二极管。半导体 ... ，直到死区时间结束并且低端MOSFET导通为止。 图2.用于降压 ... 最大限度地减少干扰。 相应MOSFET中的体二极管有一个主要缺点 ...
... 电阻带来的传导损耗。 PSWH是MOSFET的开关损耗。 Pdead_time是死区时间 ... 。 PGATE是外置MOSFET的栅极电荷损耗。原则上MOSFET的栅极是不 ... +Pdead_TIme+PIC+PGATE+PCOIL ONH：高边MOSFET导通时的导通电阻带来 ...
... ，功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT，特别是IGBT获得了 ... 达到硬关断能力。 (4). 功率MOSFET 又叫功率场效应管或者功率 ... 电流密度比MOSFET大，芯片面积只有MOSFET的40%。但速度比MOSFET低。 ...
... 带电源设计, 包括SiC二极管和SiC MOSFET、GaN HEMT、 SiC和GaN驱动器 ... 带电源设计, 包括SiC二极管和SiC MOSFET、GaN HEMT、 SiC和GaN驱动器 ... 美半导体的MOSFET也几乎涵盖了市面上所有主流的SiC MOSFET，包括20m ...
... 二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。 2017年 ... 。国际上600-1700V SiC SBD、MOSFET 已经实现产业化，主流产品耐压 ...
... 。大纹波电流也会增加MOSFET RMS电流和传导损耗。另一方面， ... 电流非常重要。 功率MOSFET选择 为降压转换器选择MOSFET时，首先确保其 ... 功率，则可并联使用多个MOSFET。 输入和输出电容选择 首先， ...
