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... (D) 端子连接到外部负载。 将 MOSFET(或 IGBT)用作漏极开路(OD)器件 ... 和静态电压保护。 开漏增强 MOSFET 配置 教程总结 我们已经在本教程 ...
... 实现低噪声放大器的设计。 5.MOSFET设计：金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)也是常见的LNA设计中使用 ...
... 扑结构都使用NMOS作为下拉MOSFET。 上电期间，如果电源电压 ... 没有足够的电压能驱动内部MOSFET工作，因此MOSFET关闭。此时，监控器无法 ... 输出电压在内部MOSFET关断时升高，直到监控器的内部MOSFET开始正常工作 ...
... ：美浦森半导体）SLH60R041GTDA型号MOSFET产品颁发AEC-Q101认证证书。美 ... SGS助力美浦森半导体SLH60R041GTDA型号MOSFET产品顺利通过AEC-Q101认证，验证 ... SGS助力美浦森半导体SLH60R041GTDA型号MOSFET产品顺利通过AEC-Q101认证，验证 ...
... 封装选项。最新的1700 V EliteSiC MOSFET最大Vgs范围-15 V/25 V ... 森美提供 30 多款集成 SiC MOSFET 和 SiC 二极管的EliteSiC 功率集成模块 ... 安森美提供多种用于驱动 SiC MOSFET 的栅极驱动器，例如 NCP51705 和 NCP51561 ...
... 变器应用 安森美的SiC MOSFET、APM等让DC-DC应用的 ... 娱乐系统及底盘等中压应用 T10 MOSFET相对于前代产品，具有更 ... 结合。 9.工业电源MOSFET方案 安森美工业电源MOSFET方案致力于推动电力 ...
... 电路，建议使用融入了Super Junction MOSFET技术的PrestoMOS™。PrestoMOS™通过采用罗 ... 采用内置SiC MOSFET的电源IC。这种产品已经将SiC MOSFET内置于电源 ... 栅极驱动。 栅极驱动器IC 虽然SiC MOSFET和GaN器件的性能很高， ...
... 型D-mode GaN通过利用低压Si MOSFET的开关带动整体的开关，从而 ... D-mode GaN通过级联低压Si MOSFET来实现常关型，E-mode ... 低压Si MOSFET的开关带动整体的开关，尽管驱动电路和Si MOSFET相同， ...
... 的正浪涌电压超过SiC MOSFET的栅极阈值电压（VGS(th ... 电流。 只是由于SiC MOSFET的跨导比Si MOSFET的跨导小一个数量级 ... 地确保浪涌电压不超过SiC MOSFET的VGS(th)。 抑制电路的示例 ...
