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... 道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流 ... ，其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流，独特的栅极负 ... 开关的理想选择。P 沟道MOSFET特性的优势在于可简化栅极驱动 ... 。乐瓦微-60V P沟道MOSFET封装范围包括TO-220、TO-263 ...
... 专门设计的带有快速恢复二极管的 MOSFET，通常也比 IGBT 产品中的 ... 降低总拥有成本。 硅 IGBT 和 MOSFET 表现出一种称为反向恢复的 ... 联 GaN 器件，因为附加的硅 MOSFET 与常开 GaN FET 相结合。 ...
... 意法半导体技术营销经理和功率 MOSFET 专家 Antonino Gaito 强调了 MDmesh M9 功率 ... 关键超级结 MOSFET 技术。STMicroelectronics 推出了其 MDmesh M9 和 DM9 MOSFET 系列的首批 ...
... 的影响。 2.1.MSFET损耗分析 MosFET损耗分为动态损耗和静态损耗两 ... 动态损耗,应选择低寄生参数的MosFET,同时应合理选择开关元件的开关 ... 驱动半桥驱动器IR2==0和大功率MosFET（型号为CsD=8532KCs）。在 ...
... IGBT，这些产品还能驱动MOSFET和SiC MOSFET等常规功率器件。SCALE 栅极 ... 高度集成的单通道IGBT和SiC MOSFET栅极驱动器，采用标准eSOP™封装， ... 自动化电源设计软件，可支持硅MOSFET和PowiGaN器件。这款Web应用 ...
... 为基础供电。LTC9102/LTC9103使用外部MOSFET控制每个电源通道，所以用户可以 ... 限流的方式快速安全地重新开启MOSFET，尽量减少对PD的中断， ... 。LT4321采用低损耗N沟道MOSFET桥，可同时提高PD的可用 ... 的因素是其采用一个外部功率MOSFET以进一步地大幅降低总体PD散热量 ...
... 部分，因此低 R DSon MOSFET 非常重要。 栅极驱动器选择 开关电源 ... 道 NexFET™ 功率 MOSFET 非常适合。 UCC27201A-Q1高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120 ...
... 我们可以选择金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 以最佳匹配电机特性，并调整 ... -Q1 的灵活性支持使用正确数量的 MOSFET 驱动双向电机、单向电机（如 ... 风扇 由于可以灵活地选择每个外部 MOSFET 以最适合相应的负载，因此 ...
... 。 图 1 显示了用于半桥 MOSFET 配置的栅极驱动变压器的实际实现 ... 到恒定的基极电流。 为了在 MOSFET 上获得干净、稳定的栅极驱动 ... 系统：有效且稳健地驱动功率 MOSFET ”）。综上所述，考虑到上述 ...
... 频率的影响。 2.1M0SFET损耗分析 MOSFET损耗分为动态损耗和静态损耗两 ... 动态损耗,应选择低寄生参数的MOSFET,同时应合理选择开关元件的开关 ... ,用于驱动半桥驱动器IR2110和大功率MOSFET（型号为CSD18532KCS）。在升 ...
