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详细介绍MOS管在开通过程中，驱动电压的变化与通过的电流以及电压的变化关系
SiC驱动电路技术讲解，驱动损耗分析及如何减小驱动电路。
这是一款具有内部功率MOSFET的低EMI特征异步降压开关模式 ...
This new generation complementary MOSFET features low on-resistance and fast switching, making ...
... 导通电阻：具有高 低侧 MOSFET 输出级，典型电阻仅为 0 ...
... 输出MOSFETTB67H450FNG 采用低导通电阻的MOSFET（高侧 低侧 = 0.6Ω典型 ...
... 的IC，具有低导通电阻MOSFET输出级（典型值为0.49 ...
