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... 是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的,不需要电流 ... 不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流 ... 出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率,因而不需要 ... ,大电容,有的还会要MOSFET,特别是Boost电路,需要考虑 ...
... 栅),将SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一个器件内部,可 ... 和优秀开关性能,与硅基MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET皆可兼容。 ... 提供设计灵活性; 第二,与SiC MOSFET相比,具有更低导通电阻 ... 开关损耗;与硅超结MOSFET相比,SiC MOSFET的技术表现都非常出色 ...
... : 第4代SiC MOSFET:罗姆先进的SiC MOSFET技术实现了业界领先 ... :BM2P06xMF IC系列将730V耐压MOSFET和PWM控制器集成在一个封装中 ... 开关电源应用。 内置1700V SiC MOSFET的AC-DC Converter IC:BM2SC12xFP2-LBZ ...
... 搭载B4 或 B6 桥 N 沟道 MOSFET 驱动器,Arm® Cortex® M3 微 ... 采用英飞凌专利的自适应 MOSFET 控制算法,通过自动调整栅极电流 ... )。自适应 MOSFET 控制还能在 MOSFET 生产批次不同或 MOSFET 供应商不同的情况 ...
... 分立器件及模块、超级结MOSFET、SiC MOSFET分立器件及模块作为PFC升压 ... 分立器件及模块、超级结MOSFET、SiC MOSFET分立器件及模块作为全桥 ... 对于48 V BSG,可采用中压MOSFET模块。 汽车IGBT分立器件 安森 ...
... 应用当中,PowiGaN™开关要更优于MOSFET。 针对氮化镓器件未来的 ... ,与一个低压的MOSFET相串联的器件架构。低压MOSFET的漏极与 ... 接的,因而此时只要检测低压MOSFET的电流就可以了。 不仅如此, ...
... onsemi)NCP1681和NCP4390芯片以及SiC MOSFET的3KW高密度电源方案。 图示 ... 柱PFC控制器和NCP4390LLC控制器以及SiC MOSFET推出3KW高密度电源方案,以 ... 控制器控制应用中的六个MOSFET。初级端MOSFET由电隔离双半桥 ...
... 的主要结构是有开关管(如MOSFET、IGBT、晶闸管等)构成 ... 功率晶体管(BJT),功率场效应管(MOSFET),绝缘栅晶体管(IGBT)和可关 ... 中使用较多的器件为MOSFET,因为MOSFET具有较低的通态压 ... 一般 均采用IGBT模块,这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻 ...
... 可以说是一大挑战,主要在于高压 MOSFET 的成本较高以及传统的 PWM ... 的、额定电压为 600V 的低压 MOSFET 和 Power Integrations 提供的集成电源控制器 ... 串联旁路双极晶体管(BJT)或 MOSFET 即可实现上述目的。对于低电流 ...
... 、Q2、Q3、Q4四个MOSFET构成。在AC于OUT之间如果 ... 升压电路采用两个参数相同的MOSFET管和升压变压器组成,推挽 ... 逆变电路其中一个桥臂上下MOSFET的驱动波形;图 5(c)是逆 ... 能够迅速封锁PWM脉冲和关断MOSFET,并及时将故障信息显示出来 ...