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... 设计进行评估和优化。 当SiC MOSFET应用在半桥电路时就会 ... 中往往都会出现SiC Diode或SiC MOSFET体二极管的反向恢复过程，发生 ... 一部分引脚、bonding线、SiC MOSFET芯片内部栅极电阻都被包含进 ...
... 和经济有效的解决方案。 电源MOSFET设备出现故障 当使用WBG材料制造 ... 流 1. WBG电源设备，如电源MOSFET所提出的一系列挑战，为一 ... ： 1. 粗故障隔离：在电源MOSFET中，故障可能是由于IDSS或 ...
... 使用。 与Si硅基MOSFET、IGBT相比，SiC MOSFET在开关效率、损耗 ... 上优势明显。相同规格的MOSFET，SiC MOSFET具有更低导通电阻， ... 衬底企业试验数据显示，采用SiC MOSFET的电动汽车续航距离比Si IGBT ...
... 任何故障情况。AFE 通过打开保护 MOSFET 对故障做出反应，以确保真正 ... 使用 N 沟道 MOSFET 实现，因为它们与 P 沟道 MOSFET 相比具有更低 ... 关键。 然而，当 N 沟道 MOSFET 置于电池正极时，驱动其栅极 ...
... 问题。 寻找 SiC MOSFET 现在让我们尝试使用搜索引擎查找包含 SiC MOSFET(缩写为 STP80N240K6 ... 和晶闸管 · 场效应晶体管 · MOSFET · STP80N240K6 碳化硅 MOSFET 数据表 当然，官方组件数据 ...
... Vgs，因此不需要电荷泵. IDB MOSFET 也可以集成到 IDB 控制器中， ... 这种情况。PD 控制器驱动一个输出 MOSFET，它可以在内部集成到为 ... 涌保护。例如，PD 输出驱动器 MOSFET 还需要处理来自电容充电 (I = C ...
... 因此，我们的解决方案可以像 MOSFET 一样被驱动。为什么E-Mode GaN ... 以使 GaN E 模式 HEMT 像硅 MOSFET 一样易于使用。当然，一旦我们 ... HEMT 的横向特性，允许客户驱动 MOSFET 等 GaN 晶体管，高达 20 伏的 ...
... 半导体市场占有率第一的宝座，通过MOSFET(Si/SiC)、IGBT、HEMT(GaN)、 ... 功率模块、600V CoolMOS P7 SJ MOSFET， SiC MOSFET系列在内的功率器件，正 ... 。 用于伺服驱动器的1200V CoolSiC™ MOSFET就很具代表性。它的开关 ...
... 方案 今年第一季度， Littelfuse的碳化硅MOSFET产品在国内某光伏系统项目投标 ... 变器设计中，Littelfuse的功率MOSFET、IGBT、整流二极管、快恢复 ... 的功率控制器件，由于Littelfuse1700V Sic Mosfet性价比的优势，甚至有客户用 ...
... 是下降? 650 V 仍将是 SiC MOSFET 的底线，这是一个相当安全 ... 降低到足以支持商用 300-V SiC MOSFET 的程度。 在这些低电压下 ... 达到当今 SiC 器件质量的高压 SiC MOSFET 在高达 10 kV 的电压下将 ...
