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... 电源应用。 与传统的硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET具有耐高温、耐腐蚀 ... 氧化性好等优胜功能。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的 ... 因此从这个角度来看，采用碳化硅MOSFET还是比较划算的。 “除此之外，我们 ...
... 之间。图 1 显示了以典型 MOSFET 电路符号表示的体二极管。 图 1：包含本征体二极管的 MOSFET 符号 限制体二极管的导通时间 ... 体二极管两端的压降通常高于 MOSFET 两端的电压。由于 P = I x ...
... 之间。图 1 显示了以典型 MOSFET 电路符号表示的体二极管。 图 1：包含本征体二极管的 MOSFET 符号 限制体二极管的导通时间 ... 体二极管两端的压降通常高于 MOSFET 两端的电压。由于 P = I x ...
... 次级同步整流MOSFET的电压应力，可以采用更低的电压MOSFET从而减少成本 ... 6. 采用更低电压的同步整流MOSFET, 可以进一步提升效率。空气净化器系统 ... ，多数时间在谐振区附近工作; MOSFET的Rds适当，驱动难度不大; 电感 ...
... 对于 STI (shallow trench isolaTIon) 隔离方式的 MOSFET， 由于 STI wall 的作用，沟 ... short-channel effect 的出现，即随着 MOSFET 的沟长 L 的减小，阈 ...
... 的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，是不需要 ... 出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要 ... ，大电容，有的还会要MOSFET。特别是Boost电路，需要考虑 ...
... 校正由PFC二极管、电感和MOSFET组成。MOSFET用作高频开关，由执行功率因数 ... 降低导通损耗的低RDS(ON)MOSFET和集成了许多安全功能的高级 ... 器件同时集成了功率因数校正二极管、MOSFET和控制器，这种高集成度有助于缩短 ...
... 校正由PFC二极管、电感和MOSFET组成。MOSFET用作高频开关，由执行功率因数 ... 降低导通损耗的低RDS(ON)MOSFET和集成了许多安全功能的高级 ... 器件同时集成了功率因数校正二极管、MOSFET和控制器，这种高集成度有助于缩短 ...
... 功放电路采用金属氧化物场效应管(MOSFET)替代双极型晶体管(BJT)，这 ... 模式。D类放大器需要两只MOSFET，它们在非常短的时间内 ... 其管压降很低;而当MOSFET完全截止时，通过管子的电流 ... 应用中，直到1980以后，由于MOSFET的出现，这种开关式功放才 ...
... 。如最新的1200 VM1完整SiC MOSFET 2 pack模块(如图1)， 基于 ... 温度监测。 安森美的SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器 ... RDS(on)的 MOSFET。1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸小 ...
