找到约 5170 条相关结果
... 忽视 P 型耗尽型 MOSFET 的耗尽行为。 对于增强型MOSFET ，当输入为0V ... 两个使用 N 型 MOSFET 的开关电路。对于增强型MOSFET ，当输入为+V ... 型 MOSFET 提供正逻辑操作。P 型耗尽型 MOSFET 类似于 N 型增强型 MOSFET， ...
... 正向导通电压决定。MOSFET 的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS ... 算法，MOSFET 的平均损耗可以由下式计算：PT(MOSFET) = PCOND(MOSFET) PSW(MOSFET)= [(I13 - I03 ...
... 。碳化硅 MOSFET结构及其特性碳化硅MOSFET的结构常见的平面型(Planar)碳化硅MOSFET的结构 ... 。可以看出，碳化硅MOSFET相比相近导通电阻的硅MOSFET，反向恢复电荷 ... 图11：碳化硅MOSFET和硅MOSFET的性能对比图12：碳化硅MOSFET短路能力比较 ...
... 正向导通电压决定。 MOSFET 的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS ... ，MOSFET 的平均损耗可以由下式计算： PT(MOSFET) = PCOND(MOSFET) + PSW(MOSFET) = [(I13 ...
... 具有明显优势。 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体 ... 。与600V～1200V的Si MOSFET相比，SiC MOSFET的优势在于芯片面积小 ... ，SiC‐MOSFET 的芯片尺寸只需要Si‐MOSFET 的35分之1、SJ‐MOSFET 的10 ...
... 碳化硅MOSFET结构及其特性3.1碳化硅MOSFET的结构常见的平面型(Planar)碳化硅MOSFET的 ... 。可以看出，碳化硅MOSFET相比相近导通电阻的硅MOSFET，反向恢复电荷 ... 图9：碳化硅MOSFET和硅MOSFET的性能对比图10：碳化硅MOSFET短路能力比较 ...
... 能系统的低成本功率密度MOSFET深入探讨CoolSiC™MOSFET在太阳能发电和储能 ... 主流。英飞凌提供涵盖CoolSiC™MOSFET、TRENCHSTOP™IGBT、EiceDRIVER™栅极驱动器及 ... 针对不同场景需求，提供涵盖CoolSiC™MOSFET、TRENCHSTOP™IGBT、EiceDRIVER™栅极驱动器及 ...
... CoolMOS™超结MOSFET、CoolSiC™MOSFET与肖特基二极管、OptiMOS™低压MOSFET及智能功率 ... 搭载ARM®Cortex®-M3内核与H桥MOSFET驱动，支持LIN通信与多模式 ... AEC-Q100/101标准。通过自适应MOSFET驱动算法优化EME与功耗，适用 ...
... 】 MOSFET，我们这里指的是增强型 MOSFET（还有一种叫做耗尽型 MOSFET） ... 我们可以将负载放置在MOSFET和地之间。MOSFET的源极连接到驱动 ... 状态，从而最小化 MOSFET中 的功率损耗。MOSFET 驱动器，例如 LTC7004， ...
... 将讨论使用P沟道MOSFET和N沟道MOSFET实现的电池反向保护及其 ... 了AP74500Q+N沟道MOSFET与基于传统P沟道MOSFET的反极性保护解决 ... 中仿真理想二极管。功率MOSFET在连接后可确保MOSFET关断时其体 ... 理想二极管控制器可检测通过MOSFET的反向电流并将MOSFET关断，从而让 ...
