找到约 2925 条相关结果
... (GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源 ... 。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低 ... GaN模块应用 结论 与传统硅基MOSFET相比，GaN晶体管具有更小的 ...
... 的、额定电压为600V的低压MOSFET和Power Integrations提供的集成电源控制器 ... 电压。 当集成开关(U1)内的MOSFET导通时，Q1的源端 ...
... (GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源 ... 。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低 ... GaN模块应用 结论 与传统硅基MOSFET相比，GaN晶体管具有更小的 ...
... 速度和导通损耗满足要求的MOSFET，近年来又出现了集成前置驱动 ... 功放所用的MOSFET为N沟道型，因为N型沟道MOSFET的导通损耗仅为相应规格的P沟道MOSFET的1 ... 的开关效率大约是百分之96，MOSFET 的功耗计算主要是来源于开关损耗 ...
... 速度和导通损耗满足要求的MOSFET，近年来又出现了集成前置驱动 ... 功放所用的MOSFET为N沟道型，因为N型沟道MOSFET的导通损耗仅为相应规格的P沟道MOSFET的1 ... 的开关效率大约是百分之96，MOSFET 的功耗计算主要是来源于开关损耗 ...
... ，前者的电路中包含2个MosFET，后者只有1个。这两 ... ，一般来说主开关管是两个MosFET，变压器为一大(主变压器)一小(待 ... 承担两倍的输入电压，对于MosFET来说显然不是一件好事。 ... 仍然不会高于输入电压，这样MosFET的压力就小很多了。 双 ...
... 推出的用于汽车应用的PIM和MOSFET 开发各种DC-DC转换器 ... ）控制器LV8907、6个独立的MOSFET、精密分流电阻器、热敏电阻和系统 ... LDO）如NCV8703和NCV8705、开关 MOSFET如NVTFS5116PL（u8FL）和BVSS84L（ ...
... 能源汽车充电桩的“心脏”MOSFET（金属氧化物半导体型场效应管 ... 桩稳定不过热的关键器件。MOSFET的成本占整个开关电源模块成本 ... ，国内厂家大量采购进口品牌的MOSFET，不仅价格高昂，还经常缺货 ... 目前已实现充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产，在国内充电 ...
... -Thru™ 。在这种模式下，顶部MOSFET Q1会在100%占空比始终 ... 调制，从而相应地调节输出。MOSFET QP1与QN1同步开关，以实现 ... 模式。在这种模式下，顶部MOSFET Q1会在100%占空比始终 ... 转换器进入Pass-Thru模式，顶部MOSFET Q1始终导通，并尽可能以 ...
... 。 图 3：FF08MR12W1MA1_B11A EasyPACK CoolSiC 汽车 MOSFET 1,200-V 半桥模块(来源： ... 飞凌全新 1,200 V 汽车CoolSiC MOSFET的 8 mΩ 半桥模块。凭借 ...
