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... 的MOSFET，ID = 1.9A; • 竞争对手的MOSFET ，ID = 1.8A. 因此，STripFET F8 MOSFET ... (图 8)测试关断状态的MOSFET： 图 8. MOSFET 关断测试电路原理图 ...
... × 6mm MOSFET，直线布置;(b) 5mm × 6mm MOSFET，以90°形状布置;(c) 5mm × 6mm MOSFET， ... 5mm × 6mm MOSFET替换为两个并联的3.3mm × 3.3mm MOSFET。由于MOSFET尺寸更 ...
... 大的生产力。 1700V SiC MOSFET的优势 改用1700V MOSFET后，SiC技术的功率 ... 多，同时简化控制逻辑。 SiC MOSFET的重要注意事项 在选择适用于 ... 桥臂立即开始测试。 1700V SiC MOSFET电源管理解决方案与数字栅极驱动 ...
... 高端 MOSFET 和 PWMLO 至低端 MOSFET 的操作恢复。当低端 MOSFET 导通 ... VIN 流经顶部 MOSFET 到 SW，则顶部 MOSFET 将关闭，底部 MOSFET 将导通以 ... 仍然流经底部 MOSFET 从 SW 到 PGND，底部 MOSFET 将关闭，顶部 MOSFET 将开启以 ...
... 中使用MOSFET。MOSFET实际上将是串联的。MOSFET必须是2.5V逻辑电平MOSFET， ... 由于这是一个2.5V逻辑电平MOSFET，MOSFET将导通，现在有效地 ... ）还必须考虑MOSFET的电容。需要一个2.5V逻辑电平MOSFET。3.3V ...
... 转换电路损耗以及MOSFET驱动损耗，而重载时主要来自于MOSFET、电感、 ... ，高侧MOSFET、高侧MOSFET驱动器、低侧MOSFET、低侧MOSFET驱动器(仅用于 ... 推荐使用低Rds(on)的MOSFET来降低低端MOSFET的导通损耗。对于 ...
... 转换电路损耗以及MOSFET驱动损耗，而重载时主要来自于MOSFET、电感、 ... ，高侧MOSFET、高侧MOSFET驱动器、低侧MOSFET、低侧MOSFET驱动器(仅用于 ... 推荐使用低Rds(on)的MOSFET来降低低端MOSFET的导通损耗。对于 ...
... 超过了MOSFET的额定电压，并且达到了MOSFET耐受的极限，从而导致MOSFET失效 ... 并联设计，由于MOSFET本身参数的不一致性会导致每个MOSFET的栅极及电路 ... ，都将叠加在MOSFET的漏源极之间。MOSFET的手册中一般会 ... BJT是直接并联在MOSFET上面的，因此，当MOSFET漏极存在一个大 ...
... ）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的 ... 流通。 图 1 Cascode配置 当内部MOSFET导通或有反向电流流过时 ... 小的连接线连接 JFET 和 MOSFET 栅极。 该MOSFET专为cascode结构设计，其 ...
... ）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的 ... 较小的连接线连接JFET和MOSFET栅极。该MOSFET专为cascode结构设计， ... 是cascode栅极电阻决定。Cascode的MOSFET开关速度可通过其栅极电阻调节 ...
