找到约 2925 条相关结果
... 图6。 另一方面，控制和同步MOSFET的传导损耗会影响BBU放电和 ... 背板电压。这是通过同步功率MOSFET实现的，它由LT8228脉冲宽度 ... 的工作原理是快速切换同步功率MOSFET并使电感电流斜坡上升。双向 ... °C。在充电模式下，同步MOSFET的温度低于50°C。合理构建 ...
... 用于控制电池装反保护电路的MOSFET开关管。 可以通过 SPI 端口 ... 能够灵活地使用驱动器配合各种外部 MOSFET开关管，包括具有大栅极电容 ... 。 故障安全输入可以立即关闭所有 MOSFET功率管，专用诊断引脚可 ...
... - 门极关断晶闸管); Power Mosfet(1970 - 金属氧化物半导体场效应晶体管); SIT(1975 ... 晶闸管); SiC Mosfet(2000 - 碳化硅 Mosfet); GaN Mosfet(2010 - 氮化镓 Mosfet)。 在以下段落中 ...
... 内容，专门聚焦于带有集成功率 MOSFET 和控制器的转换器解决方案， ... 图 1：同步降压转换器在 MOSFET 导通和关断开关转换期间 ... 电阻(最好小于 10Ω)，限制高侧 MOSFET 导通速度，从而降低开关节点 ...
... 转换器中，仅检测低侧 MOSFET 的 R DS(ON)两端的电压是 ... 仅在低端 MOSFET 导通时可用。在高边 MOSFET 导通期间不 ... 自适应死区时间的集成高电流MOSFET栅极驱动器提供优化解决方案方案尺寸 ... %精确电压基准连同一个30ns高侧MOSFET最小可控接通时间来获得 ...
... 了较低水平。与基于 IGBT MOSFET 的方案相比，使用DRV7308 的电机 ... Charlie Munoz介绍，传统的IGBT和MOSFET IPM需要外部散热器来散热，而且 ... 下 输出250W 功率。与基于 IGBT MOSFET 的解决方案相比，紧凑的尺寸 ...
... 快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的 ... 高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征， ... 消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进 ...
... 快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的 ... 高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征， ... 消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进 ...
... 新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技术，与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能 ... 的四路2000V 60A MPPT EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET 3B碳化硅模块，该模块可以在 ... 方案，还有基于CoolMOS™和OptiMOS™功率MOSFET、CoolGaN™ SG HEMT开关、CoolMOS™ QDPAK ...
... 固定在 12V。由于控制器集成的 MOSFET(80miohm)的 RDS(ON) 较低，该 ... μA。集成的 80 mΩ 高侧 MOSFET 可实现高效电源设计，连续输出 ... 减少外部元件数量。集成高侧 MOSFET 的偏置电压由 BOOT 至 PH ...
