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... 上述信息作为参考。 图3.LTC4381 MOSFET的安全工作区域。 启动行为 当 ... 设计阶段无需花费时间选择功率MOSFET。LTC4381 MOSFET的SOA经过生产测试，每个 ...
... MOSFET 导通电阻 5 mΩ MOSFET 米勒 ... Celsius™ 模拟结果，Q1 MOSFET是 94.06°C ，Q4 MOSFET 是93.99°C， ...
... -MOSFET（Super Junction MOSFET）、DMOSFET（Double-diffused MOSFET）、Planar MOSFET（平面型MOSFET） MOSFET ... 、Planar MOSFET和SJ-MOSFET。使用硅衬底生产MOSFET时，DMOSFET和Planar MOSFET的生产 ...
... )、SJ-MOSFET(Super Junction MOSFET)、DMOSFET(Double-diffused MOSFET)、Planar MOSFET(平面型MOSFET) MOSFET是晶体管的 ... 、Planar MOSFET和SJ-MOSFET。使用硅衬底生产MOSFET时，DMOSFET和Planar MOSFET的生产 ...
... N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道 ... 尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为 IGBT总电流的主要 ... Ids=(1 Bpnp)Imos式中 Imos —— 流过MOSFET的电流。由于N 区存在电 ...
... )切换。当一个低频MOSFET处于开状态，而且一个高频MOSFET 处于切换状态时 ... )切换。当一个低频MOSFET处于开状态，而且一个高频MOSFET 处于切换状态时 ... 中我们对比测试了标准的MOSFET和快恢复MOSFET。ST推出的STD5NK52ZD(SuperFREDmesh ...
... 的小型化。与600V~900VSi—MOSFET相比，SiC—MOSFET的优点是芯片面积小（ ... 在900V时，SiC—MOSFET的芯片尺寸只需要Si—MOSFET的1/35和SJ ... 导通电阻。SiC—MOSFET的漂移层电阻比Si—MOSFET低，但另一方面， ...
... 采用N沟道功率MOSFET的基本理想二极管。将MOSFET放置在适当的方向 ... 图1.二极管和理想二极管 得益于MOSFET技术的进步，现在出现了低RDS(ON)的MOSFET。如果在理想二极管解决方案中添加背靠背MOSFET，虽然会 ...
... 的大小。而在进行MOSFET的选择时，因为MOSFET有两大类型： ... 系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极 ... P沟道。MOSFET.在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而 ... 效應,要讓MOSFET誤觸發機率不高,至於Mosfet關斷,試 ...
... //预充电MOSFET控制位#defineCONF_DSGMOS0x20//放电MOSFET控制位#defineCONF_CHGMOS0x10//充电MOSFET控制位#defineCONF_CADCON0x08 ... 开启充电MOSFET)uint8_tOCPM;//充放电过流MOSFET控制(0充电过流只关闭充电MOSFET，放电 ...
