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... ROHM于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来，作为SiC功率 ... 网特设网页中，介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等 ... ，欢迎浏览。 第4代SiC MOSFET相关的支持资料： ・概要介绍视频 ...
... 超结 (SJ) 功率 MOSFET（例如 CoolMOS™），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC™）， ... 情况：高边 MOSFET 栅极-漏极短路，而低边 MOSFET 导通。在 ... 可能发生直通事件。超结功率 MOSFET （例如英飞凌科技股份有限公司 ...
... 半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷 ... 同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术 ... 符合工业级规格的 STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET，非常适合电机控制、电信和 ...
... 输出两部分，有些控制器会将MOSFET集成到芯片中去，这样使用 ... 包含了输出电容、输出电感以及MOSFET等等，这些元件的选择基本上要 ... 的开关频率会增加干扰和增大MOSFET的开关损耗，使效率降低;低 ... 相反。 对于输出电容的ESR和MOSFET的Rds_on参数选择也是非常关键 ...
... 功率半导体器件主要有MOSFET， IGBT， Super Junction MOSFET。其中MOSFET速度最快， ... 大电流的应用场合。超结MOSFET介于两者之间，是一种性能 ... 开关在100千赫以上，一般只有MOSFET能够胜任。在较低频段如 ...
... 此电压下，1,200-V SiC MOSFET 具有整体优势，因为它们于 2011 ... 此电压下，1,200-V SiC MOSFET 具有整体优势，因为它们于 2011 ... 此电压下，1,200-V SiC MOSFET 具有整体优势，因为它们于 2011 ...
... 有助于提高功率效率，因为主要硅 MOSFET 参数会因温度变化(如 RDS (on ... 损耗。 底部和顶部冷却 SMD 封装 MOSFET 和IGBT等功率器件，包括普通 ... (TIM) 连接到印刷电路板 (PCB) 的功率 MOSFET 的热行为。如上一节所 ...
... 电源设计中用 Nexperia GaN FET 替换硅 MOSFET 来实现的。虽然该设计的 ... 将低电压、低 R DS(on)MOSFET 与自然“开启”的 GaN HEMT 器件串联 ... 额外的好处。Nexperia 与低压硅 MOSFET 和 GaN HEMT 的电容紧密匹配， ...
... ）推出了全新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列，为950V超结（SJ ... 电压级别中更稳健的超结 MOSFET，可适用于目标应用中的 ... 使用效率，与900超结 MOSFET相比，MOSFET温度最高可降低4开尔 ... 值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式，降低了驱动电压和 ...
... 通过系统内部金属氧化物半导体场效应晶体管(Mosfet)的开/关来调节输出功率， ... 路由碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) MOSFET 制成(图 7)。这些组件提供了 ... 直接带隙半导体。基于 GaN 的 MOSFET 和金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 可用于 ...
