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... 当前的电机设计使用固态开关(例如 MOSFET 或 IGBTS)而不是继电器，具体 ... 。MCU 可以通过具有适当特性的 MOSFET 驱动器控制开关电路，例如传播延迟 ... 、电压调节、电压基准、驱动 MOSFET 或 IGBT 的能力以及故障保护。 ...
... 呈上升趋势，过去十年中功率 MOSFET 器件的成本显着降低，特别 ... 低压(小于 100 伏)电机驱动应用的 MOSFET 栅极驱动 IC 以及微控制器，简化 ... 到轨的栅极控制电压必须以 MOSFET 的源极端子为参考，在 ... 高阻值栅极电阻器来驱动大电流 MOSFET，以降低 EMI、噪声和压 ...
... 转换器中，仅检测低侧 MOSFET 的 R DS(ON)两端的电压是 ... 仅在低端 MOSFET 导通时可用。在高边 MOSFET 导通期间不 ... 自适应死区时间的集成高电流MOSFET栅极驱动器提供优化解决方案方案尺寸 ... %精确电压基准连同一个30ns高侧MOSFET最小可控接通时间来获得 ...
... 理想状态。 硅金属氧化物栅极 FET (MOSFET) 在 70 年代和 80 年代具有垂直 ... 极晶体管 (IGBT)，它结合了类似 MOSFET 的栅极驱动和类似双极的 ... 性能要求不同于传统的 IGBT 和 MOSFET 解决方案。SiC 器件可能需要大于 ...
... 调节器设计中，输入电容和功率MOSFET之间的热环路电感会导致开关 ... 的峰值电压仅为13V。功率MOSFET上的峰值电压应力与其额定电压 ... 中，驱动速度受驱动器与功率MOSFET之间以及驱动器与其电容之间的电感限制。过快驱动MOSFET栅极可能导致功率器件/驱动器的栅极 ...
... ，共模噪声的主要来源是 MOSFET。MOSFET 通常是电路中的主要功耗 ... TO-220 器件，散热片连接到 MOSFET 漏极，在大多数情况下， ... 电流传导到大地。即使 MOSFET 与散热器电气隔离，MOSFET 和接地之间仍存在 ...
... 电源设计中用 Nexperia GaN FET 替换硅 MOSFET 来实现的。虽然该设计的 ... 将低电压、低 R DS(on)MOSFET 与自然“开启”的 GaN HEMT 器件串联 ... 额外的好处。Nexperia 与低压硅 MOSFET 和 GaN HEMT 的电容紧密匹配， ...
... 种级联方法，其中 LV Si MOSFET 本质上是串联放置并创建栅极 ... GaN HEMT 的栅极从级联 Si MOSFET 内的体二极管的恢复中获得 ... 时间。与 Vsd < 1V 的 Si MOSFET 相比，GaN Vsd 可能要高得 ...
... - 门极关断晶闸管); Power Mosfet(1970 - 金属氧化物半导体场效应晶体管); SIT(1975 ... 晶闸管); SiC Mosfet(2000 - 碳化硅 Mosfet); GaN Mosfet(2010 - 氮化镓 Mosfet)。 在以下段落中 ...
... 设计，其中有一个由硅功率 MOSFET 组成的有源桥;这种架构有助于 ... 电压浪涌。 讨论了使用硅 MOSFET 和零电压开关 (ZVS) 的 99% 效率 ... 中的硅 MOSFET 替换为高速半桥中的 GaN FET。硅 MOSFET 仍用于 ...
