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... 背板迫使 DC-DC 设计人员使用 100V MOSFET，它具有明显更高的 FOM ... 300 kHz 的效率与使用 100V 硅 MOSFET 的类似参考设计进行了比较。 ... 效率。与 100V 甚至 40V 的硅 MOSFET 相比，GaN E-HEMT 晶体管显着 ...
... 。Transphorm 表示，与使用超级结 MOSFET 的标准连续导通模式 (CCM) 升压 ... 无桥 PFC。 借助使用低压硅 MOSFET 和耗尽型 GaN HEMT 的两芯片 ... 分导通。MOSFET 版本的操作是相同的，只是 MOSFET 在半周期被 ...
... 1.BD7F205EFJ-C (开发中) 汽车集成开关MOSFET隔离式反变频器集成电路 BD7F205EFJ-C ... 功能/启用控制功能 内置60V交换MOSFET 频谱传播 软启动功能 负载补偿功能 ...
... ) ■可通过电阻选择时间间隔 ■手动为MOSFET上电 ■单次触发功能 仅消耗 ... 通过驱动外部金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 对系统电源进行电源门控， ... 次模式下，定时器可以驱动 MOSFET 一个周期。再加上手动复位功能 ...
... 低。 · 它集成了用于同步 MOSFET 的 MOSFET 驱动器。同步整流导致比二极管更 ... 关断时间。较低电压的 MOSFET 具有更好的 R DS *Q G ... 选频率同步和抖动 ■集成2-A MOSFET栅极驱动器 ■逐周期电流限制和可 ...
... ) 周期，打开集成的高端功率 MOSFET (HSFET)。 HS-FET 保持开启，直到 ... )，则功率 MOSFET 中的电流不会达到 COMPset 电流值，功率 MOSFET 将关闭。 ... 输出 VCOMP 值。 该 VCOMP 控制功率 MOSFET 电流。 优化的内部补偿网络最 ...
... 且非数学的方法来解释基于 MOSFET 的高侧负载开关的各个方面 ... 结构和特性直接相关。 由于增强型 MOSFET 通常在工作期间消耗更少的 ... 本文将专门关注基于增强型 MOSFET 的传输元件。 增强型 MOSFET 传输元件可以是N ...
... 集成了安森美的所有SiC MOSFET技术。裸片连接采用烧结技术 ... -Trac MOSFET模块 这些SiC MOSFET设计为快速且坚固耐用。它们提供比Si MOSFET高 ... 导率。所有安森美SiC MOSFET均符合车规AEC-Q101 认证和 ...
... 功耗更低，AL1788 可以使用外部 MOSFET 为 LED 负载提供恒定电压。 高 ... 机功耗 低系统 BOM 成本 带外部 MOSFET 的控制器 应用程序 通用 LED 照明 智能 ...
... 内达到 88%(350kHz 开关频率)，功率 MOSFET 中的电流将不会达到 COMPTset 电流值，功率 MOSFET 将关闭。 误差放大器 (EA) 将内部 ... 输出 VCOMP 值。 该 VCOMP 控制功率 MOSFET 电流。 优化的内部补偿网络最 ...
