找到约 2925 条相关结果
... 栅极驱动器或金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 等模拟前端组件提供脉宽调制 ... 一个典型的系统需要栅极驱动器、MOSFET、电流感应放大器、电压感应比较 ... 电机驱动器包含保护功能，例如针对 MOSFET 的过流和过压保护以及 ... 使用的泵，可以选择具有集成 MOSFET 的器件来进一步减小布板空间 ...
... (on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，并且还提供 ... 降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SiC MOSFET技术。第4代技术中 ... 器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO ...
... 不同的驱动能力。其次，检查MOSFET的寄生电容，如图中的 ... 问题！而IC驱动能力、MOSFET寄生电容、MOSFET开关速度等因素，也 ... 提供尽可能低阻抗的通路，使MOSFET的栅极和源极之间的电容 ... 防止磁芯饱和。图5 高边MOSFET驱动电路# 今日福利 #文末留言点 ...
... 方案： 1) 第四代SiC MOSFET 2) SiC Trench MOSFET 3) 1,700V/250A 高耐 ... 8) 内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC 9) SiC MOSFET驱动用准谐振 ...
... 面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管。 ... 重点将包括： l MOSFET全电热模型 Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览 ... 评估其特性和优势。 l 功率MOSFET在工业应用中的设计 无论出于 ...
... 可分为控制器（外部MOSFET）或单片稳压器（内部MOSFET）。我们先 ... 要求传统开关模式控制器IC驱动外部MOSFET，具有外部反馈控制环路补偿元件 ... 。此处使用的IC中的集成MOSFET和内置补偿电路只需要几 ... 减少有噪天线尺寸。加上集成MOSFET和小尺寸，LT8652S解决方案可 ...
... MEMS）和功率器件（IGBT、MOSFET）芯片和模组生产服务。 ... 二是 MOSFET 工艺平台，包括沟槽式 MOSFET、分栅式 MOSFET 以及超结 MOSFET； ...
... 采用宽带隙半导体铺平了道路SiC MOSFET和GaN HEMTs在各种应用中所 ... 好处平面与沟槽技术: SiC MOSFET产品路线图使用SiC MOSFET的设计优势使用GaN器件 ... 好处及其未来潜力ST大规模生产SiC MOSFET和二极管，适合大范围的应用 ...
... 反灌电流，实现初级主功率MOSFET零电压开通，电路的结构如 ... 到0。（2）主功率MOSFET管只有在其寄生电容的电压 ... 绕组电感较小，实现主功率MOSFET管零电压软开关ZVS工作的 ... （5）初级主功率MOSFET和次级同步整流功率MOSFET的驱动信号的时序 ...
... .4us的死区时间。6.全部使用MOSFET的3相桥式输出。7 ... 首先是欠压保护，以防止MOSFET工作在不饱和模式时，电压 ... 0.5V（典型值）），MOSFET输出打开，经过一段时间后 ... TSD时，无论输入什么，所有MOSFET输出都将关闭。06了然的 ...
