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... 理论极限。事实上，大功率 IGBT 和 MOSFET 不能承受高开关频率，并且 ... 高频应用。 2. 迁移到基于 SiC MOSFET 和 SiC 二极管的完整 SiC 解决方案 ... 方案，后者需要 100% 额定电流 SiC MOSFET 和 100% 额定电流 SiC 反并联二极管 ...
... 硅)。由于所有这些优势，SiC Mosfet 可用于各种应用： 预计使用高压 ... 激活和停用 SiC MOSFET 的典型用途。使用的 SiC MOSFET 为 UF3C065080T3S 型号， ... 耗散 12 瓦的功率。 GaN MOSFET 氮化镓是一种具有直接 ...
... 这样的器件当今非SiC MOSFET莫属。而硅MOSFET主要应用在650V以下 ... 好的体现，其中包括650V SiC MOSFET。 在耐高压方面，1200V以上 ... 1700V SiC MOSFET也是完美的解决方案，可以比1500V硅MOSFET损耗降低50 ...
... 显示了一个 N 沟道功率 MOSFET，该 MOSFET 在达林顿配置中驱动一个宽 ... 导通电压降低是 IGBT 优于功率 MOSFET 的主要优势。 当然，没有什么 ... 来解释。 所有 N 沟道功率 MOSFET 以及所有 N3 沟道 IGBT 中都 ...
... 简单的层面上，同步整流需要 MOSFET 模拟二极管的行为。简而言之，当 ... 例如，如果 MOSFET 过早关断，则产生的电流会流过 MOSFET 体二极管。 ... 电流实际上会破坏 MOSFET。所以诀窍是确定最佳时间关闭 MOSFET，以使体 ...
... 提供效率优势。 “功率 MOSFET 的静态开关应用是功率 MOSFET 在低频下开关的 ... 这些应用中，MOSFET 的开关功率损耗不太受关注，MOSFET 的电气特性 ... 还辅以一系列超级结 MOSFET、IGBT、低压和中压 MOSFET、电流隔离栅极驱动器 ...
... 达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds ... 不可能完全消失。MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的 ... 。t0~t1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet没通.电流由寄生二极管Df.t1 ...
... 专门设计的栅极驱动电路可以提高MOSFET的开关速度，使PWM控制方式 ... 3 6 IR2184应用图2.MOSFET的选择：选择MOSFET时主要考虑的因素有 ... -252封装的LR7843型N沟道MOSFET，VDSS=55伏、RDS(on)=8 ...
... 电路的需要，近年来一些专用功率MOSFET不断问世，典型产品有FAIRCHILD公司 ... Ω。Philips公司生产的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技术制成的，其 ... (30V/116A)、IRL3803S(30V/100A)型功率MOSFET，它们的通态电阻分别为 ...
... 外部因素而导致MOSFET驱动器产生功耗。所以需要计算出MOSFET驱动器的功率损耗 ... 温。在实际应用中，MOSFET驱动器与MOSFET的参数匹配，主要是按 ... MOSFET导通和截止的速度与MOSFET栅极电容的充电和放电速度有关。MOSFET ...
