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... InnoSwitch3-AQ，其内部集成了750V MOSFET，AQ代表经汽车认证的车 ... ）控制器 + 800V MOSFET + 叠加场效应晶体管。实际上是两个开关MOSFET（上管 ... 到1200V，在上面叠加MOSFET，用两个MOSFET串联以增加耐压。 ...
... 一、SGT MOSFET优势介绍 MOSFET分类： Trench （沟槽型）MOSFET：主要用于低压 ... MOSFET：主要用于中压和低压领域； 平面型MOSFET、COOL（超结）MOSFET ... 损耗，所以与普通沟槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的内阻要低2倍 ...
... 独特的特性，总结如下。 SiC MOSFET：就总电离剂量 (TID) 效应而言 ... [1] 报告说，商用现货 (COTS) SiC MOSFET 上 400krad TID 的 Vt 偏移约为 ... 泄漏。可以通过类似于用于 Si MOSFET 中的 SEGR 改进的设计技术(例如 ...
... 置过压保护通过保持下部 MOSFET 开启和上部 MOSFET 关闭来防止输出超过设定 ... 置过压保护通过保持下部 MOSFET 开启和上部 MOSFET 关闭来防止输出超过设定 ... 置过压保护通过保持下部 MOSFET 开启和上部 MOSFET 关闭来防止输出超过设定 ...
... 测试电路。与硅 MOSFET 发生的情况类似，SiC MOSFET 的开关过程分为四 ... 以下等式表示，其中 R ds_on是 MOSFET 的导通电阻： I d = V ... ds – V th )，则MOSFET满足方程(8)。否则，MOSFET 遵循公式 (4)。这种 ...
... 的领先地位 安森美的SiC MOSFET和SiC二极管产品线非常丰富， ... 适用于UPS的1200 V M3S SiC MOSFET比领先行业的竞争对手减少达 ... 安森美的900 V M2 SiC MOSFET 维也纳模块NXH020U90MNF2由两个900 V ...
... GeneSiC 提供基于 SiC 的器件，例如 MOSFET 晶体管、肖特基二极管(包括具有 ... ，”Ranbir Singh 博士说。 与SiC MOSFET 晶体管相关的另一个重要方面与 ... MPS TM整流器和 MOSFET 经过 100% 雪崩测试。我们的 SiC MOSFET 在 RDS ON最低 ...
... ;由 N 沟道 MOSFET 进一步调节，而且N 沟道 MOSFET 的软开关也可 ... ;85mΩ/50mΩ 低导通阻抗内部功率 MOSFET · 高效率同步工作模式 · 默认 400kHz ... ;由 N 沟道 MOSFET 进一步调节，而且N 沟道 MOSFET 的软开关也可 ...
... 方案中，MOSFET与FR4并未键合在一起散热，因此MOSFET可以在更 ... PCB上，因此，栅极驱动器与MOSFET之间可能存在较大距离，这 ... 可以将驱动器直接放置在相应的MOSFET的下方，从而显著减少PCB引起 ... 我们最新推出的高压CoolMOS™超结MOSFET和CoolSiC™技术所能带来的关键 ...
... 整流器，其内部集成了 100V/14mΩ MOSFET。它可以取代二极管整流器，实现 ... 产品优势： • 在单个封装中集成 MOSFET 和 SR 控制器 • 针对低端整流优化 ... 2V 达到开启阈值 (-80mV)，则 MOSFET 在开启延迟后开启 ( tD_ON)，通常 ...
