找到约 2925 条相关结果
... 原因及解决办法： 1)内部的 MOSFET 损耗太大： 开关损耗太大 ... 变压器的寄生电容太大，造成 MOSFET 的开通、关断电流与 Vds ... ，即允许更大的电流通过 MOSFET/ 变压器，可以提供更大的能量 ... 内上升到保护点(如 6V)，MOSFET 将关断。输出不能达到 ...
... 双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（ ... 级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常 工作 ... 分为几段时间 1.与MOSFET类似的开通过程，也是分为 ... 特性的 第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的 ...
... 的。 同步整流电路的核心是MosFET(上图为ROG Strix 750W电源) 如果说 ... ，那么同步整流的核心元件就是MosFET晶体管了。实际上从两者的原理 ... 整个电路无法工作，因此两个MosFET晶体管必须要协同工作，为此同步 ...
... ，金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）也须考量等效内阻，以 ... ）可选择较低耐压的MOSFET，并降低切换损耗。 ... 在研发初期曾以隔离式的MOSFET驱动器来做设计，其优点是 ... 来同时驱动高低端MOSFET，虽然在驱动上须预防MOSFET的闭锁（Latch ...
... 非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低 ... 电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低 ... 发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极 ... 和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的 ...
... 。如果这个开关设计为N通道MOSFET，其栅极电压需要高于电路的 ... 稳压器，要么采用不依赖开关稳压器MOSFET、独立运行的精密电荷泵， ... 的高压侧开关设计为P通道MOSFET。这些都会导致工作量和成本增加 ... ADP2370，该稳压器通过将P通道MOSFET用作高压侧开关来实现100%占 ...
... 器的基本单元MOSFET开关的基本结构。 一. MOSFET开关的架构 MOSFET开关常见的 ... 中都是适用的。 图 1 MOSFET开关结构 另外，需要注意的是 ...
... 道的高边 MOSFET、一个N沟道的低边MOSFET和一个驱动IC ... =1且 INH=1时，高边MOSFET导通，OUT引脚输出高 ... =0且INH=1时，低边MOSFET导通，OUT引脚输出低 ...
... 包含6个40 V、30 A MOSFET配置为一个三相桥，及一个 ... 30 A高边反向电池保护MOSFET。这些MOSFET被贴装到一个直接键 ... 基板降低热电阻，从而降低MOSFET的工作温度。由于减少在热 ... 至150°C。所有集成的MOSFET都通过AEC-Q101认证。 安森 ...
... 包含6个40 V、30 A MOSFET配置为一个三相桥，及一个 ... 30 A高边反向电池保护MOSFET。这些MOSFET被贴装到一个直接键 ... 基板降低热电阻，从而降低MOSFET的工作温度。由于减少在热 ... 至150°C。所有集成的MOSFET都通过AEC-Q101认证。 安森 ...
