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... 等，电压范围覆盖-100V-1500V。MOSFET具有高频、驱动简单、抗击穿 ... 产品包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化镓增强型 HEMT、功率 ... 器件供应商之一。其产品范围包含MOSFET (包括运用创新的MDmeshTM第二代技术 ...
... 亟待解决的一大难题。作为一家在MOSFET耕耘多年的企业，东芝半导体 ... 小型低导通电阻共漏极MOSFET——SSM6N95xL，该产品能够帮助厂商更 ... N沟道MOSFET，具备MOSFET的漏极导通特性：当MOSFET开通时， ... 的低导通电阻共漏极MOSFET，SSM6N95xL非常适合用于移动设备锂 ...
... 的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。并且通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小，TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET ... 而TLP5231能够使用外部互补MOSFET缓冲器，仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电 ...
... 热。 3.MOSFET 在小功率的DC/DC变化中，Power MOSFET是最常用的功率开关。MOSFET的成本比较低，工作频率比较高。 设计中选取MOSFET主要考虑到它的导通损耗 ...
... 连接到MOSFET的栅极来控制MOSFET的阻抗。Va变大时，MOSFET的阻抗变大;Va变小时，MOSFET的阻抗变小。MOSFET上 ... 结构，MOSFET处于完全开和完全关两种状态，除了驱动MOSFET，和MOSFET自己 ...
... 的PrestoMOS™系列对内置600V超级结MOSFET的二极管进行了优化，其恢复 ... 解决方案提供外置SiC MOSFET和内置SiC MOSFET两种形态，还备有 ... 置低耐压的MOSFET或交流外置650V/800V MOSFET，构成适用于输入 ...
... 一致好评。 本次推出的1200V80mΩ碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率 ... 能力 由于器件结构的原因，碳化硅MOSFET的体二极管是PiN二极管，器件 ... 行业内碳化硅MOSFET缺货声音不断，三安集成此次完成碳化硅MOSFET器件量产 ...
... 和Qc 表8：充电桩SiC MOSFET 下面是一个15 kW/20 kW电动 ... SiC二极管FFSH20120A/FFSH30120A，8个FRFET MOSFET NTHL040N65S3F/NTHL033N65S3HF，输出端用16个 ...
... 拓扑，含6个Easy Drive MOSFET FCH040N65S3/FCH029N65S3，6个SiC二极管FFSH20120A/FFSH30120A，8个FRFET MOSFET NTHL040N65S3F/NTHL033N65S3HF，输出端用16个 ...
... over-current fault,the damage mechanism of SiC MOSFET is analyzed,and a new driving system with ... process of the SiC MOSFET.Based on the relation between gate voltage of SiC MOSFET and drain current ...
