找到约 2925 条相关结果
... 。如果这个开关设计为N通道MOSFET，其栅极电压需要高于电路的 ... 稳压器，要么采用不依赖开关稳压器MOSFET、独立运行的精密电荷泵， ... 的高压侧开关设计为P通道MOSFET。这些都会导致工作量和成本增加 ... ADP2370，该稳压器通过将P通道MOSFET用作高压侧开关来实现100%占 ...
... 及解决办法： 1）内部的MOSFET损耗太大： 开关损耗太大 ... 变压器的寄生电容太大，造成MOSFET的开通、关断电流与Vds ... ，即允许更大的电流通过MOSFET/变压器，可以提供更大的能量 ... 内上升到保护点(如6V)，MOSFET将关断。输出不能达到 ...
... 导通电阻的第4代SiC MOSFET，实现了是普通SiC封装型 ... 高边MOSFET和一个低边MOSFET进行开关工作。将这两个MOSFET组合成 ...
... MCP14C1隔离型SiC栅极驱动器和mSiC™ MOSFET，采用行业标准的D2PAK-7L XL ... 可通过欠压锁定 (UVLO)驱动mSiC MOSFET，适用于 VGS = 18V 的栅极驱动 ... 瞬态抗扰度 (CMTI)。 · mSiC MOSFET采用符合AEC-Q101标准的D2PAK-7L ...
... 通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流 ... 电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在 ... 伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须 ... 结构，可以驱动Ciss较大的MOSFET。在输出电压低于5V时， ...
... 流、过温、欠压以及MOSFET饱和等多种系统保护和诊断功能 ... 欠压、芯片及外部MOSFET过温、外部MOSFET及内部PMOS饱和等多种 ... 漏极电压（Vds）检测、MOSFET持续导通以及LIBST自检，确保 ...
... 路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集 ... 集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一 ... 电压高的负载)。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很 ...
... -1所示。 在正常工作时,MOSFET管QI的控制电压V为正电压，此正向驱动电压V使MOSFET管饱和导通。流过半导体激光器 ... 指数规律递增。 其中，I为MOSFET管一直导通时，Vdd对 ... 激光器的阙值电压， V为MOSFET管饱和导通时的漏电压 ...
... ： 一、功率开关器件 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管) MOSFET 具有输入阻抗高、 ... 栅双极型晶体管) IGBT 结合了 MOSFET 和双极结型晶体管(BJT)的 ...
... 高集成度的电源方案，譬如集成MOSFET的Buck Convertor，二合一的BUCK ... /dt节点是电感与控制芯片或者MOSFET相连接的那个节点，这个节点 ... 肖特基二极管；如果是功率MOSFET是外置的，Snubber电路靠近 ...
