找到约 2925 条相关结果
... 在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的 ... 为5.5V，可与逻辑电平 MOSFET 或 GaN 晶体管配合使用。栅极驱动 ... SRK1004D 适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。 SRK1004x 同步整流控制器全系产品 ...
... ，将意法半导体最新的SiC MOSFET、电流隔离和微控制器技术与 ... 创新拓扑：包括碳化硅MOSFET、高压MDmesh MOSFET、STripFET MOSFET、STGAP隔离FET驱动器 ...
... 飞凌将为麦田能源提供 CoolSiCTM MOSFET 1200 V功率半导体器件， 配合EiceDRIVER ... 密度备受关注。 英飞凌CoolSiCTM MOSFET 1200 V以及IGBT7 H7 1200 V系列 ... 的价值。。” 英飞凌CoolSiCTM MOSFET 1200 V凭借其高功率密度的 ...
... 。无论是 IGBT、碳化硅 (SiC) 还是硅 MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的 ... 主要是因为 SiC 肖特基二极管和 MOSFET 体二极管之间存在特性差异。这种 ... 提供更深入的分析。 与 SiC MOSFET 交织在一起的各种滤波器、放大器 ...
... 驱动器设计方案和功率 MOSFET系统的示意图；(b)功率 MOSFET 模块结构的详细示意图 ... of an LLC Resonant DC-DC Converter with MOSFET-Based Active Rectifier”, in Proceedings of 2022 17th ...
... 的“EliteSiC”产品系列，包括一系列SiC MOSFET和模块，这些产品在各种应用 ... -247-3/4、D2PACK-7、Toll MOSFET、以及F1/F2/SSDC/ASPM/DSC等 ... 款新的驱动器主要用于驱动SiC MOSFET。为了实现最低的导通损耗 ...
... 高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极，从而实现对 ... 高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极，实现对输出 ... 并快速切换高端和低端MOSFET(或IGBT)的状态。 三、实现 ... 器的输出信号转换为适合驱动MOSFET(或IGBT)栅极的电压和电流。 ...
... 后续的MOSFET开关，在MOSFET导通时产生电流推动扬声器。如果在MOSFET后级加上LC滤波电路，则LC滤波器将MOSFET方波 ...
... 一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供 ... 家庭提供全年的用电量。 EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更 ... 一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存 ...
... 可以控制外部金属氧化物半导体场 效应晶体管 (MOSFET) 来模拟理想二极管行为的集成电路(IC ... 管控制器 IC 与外部 N 沟道 MOSFET 的不同 ORing 拓 扑。 有效的 ... 和控制外部背对背 N沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开关控制 ...
