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... 相对高的 48V 输入电压而出现 MOSFET 开关损耗，因而效率会有所下降 ... 。LTC7821 强大的 1Ω N 沟道 MOSFET 栅极驱动器最大限度提高了效率 ... 相匹配为止。在 MOSFET M1 和 M3 关断之后，MOSFET M2 和 M4 接通 ...
... 电源。但是，当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时，它不 ... 图2中，检测电阻位于底部MOSFET下方。在这种配置中，它 ... 半个周期产生一个电流波形。MOSFET开关切换导致电流信号具有很强 ... 一直关断)，检测电阻与底部MOSFET (C)串联，并在电感电流上升 ...
... 双通道降压控制器ADP1850将低端MOSFET的导通电阻RDS(ON)用作控制 ... 栅极电荷上升和下降时间，导致MOSFET的开关功率损耗提高。 总结 了解 ...
... 沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS ... 相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示 ... 驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MOSFET则彼此串联。正如 ... 低电平。 五、CMOS传输门 MOSFET的输出特性在原点附近呈线性 ...
... 功率半导体器件主要有MOSFET、IGBT、超结MOSFET。其中MOSFET速度最快， ... 各参数均以MOSFET情况作归一化处理，超结MOSFET工艺目前没有 ... 它兼顾了IGBT和MOSFET的优点，不仅电压耐量高于MOSFET，而且损耗小于 ...
... 的交流纹波。如果MOSFET用作功率晶体管，MOSFET的传导损耗等于IO2 • RDS ... 输出降压电源可使用以下元件：MOSFET RDS(ON) = 10mΩ，电感RDCR = 2 m ... 及其晶体管栅极信号 如果10mΩ RDS(ON) MOSFET也用于Q2，同步降压转换器 ...
... 40V耐压车载用超结MOSFET（SJ-MOSFET），并在“ISPSD 2013 ... 流过冲。在低端MOSFET电流增大而高端MOSFET电流减小的过程中 ... 以上。 此次试制的功率MOSFET电流为150A，介电击穿电压 ...
... 输入功耗。19驱动N沟道MOSFET晶体管在选择与3.3V单片机配合 ... 的外部N沟道MOSFET时，一定要小心。MOSFET栅极阈值电压表明 ... 。对于3.3V应用，所选MOSFET的额定导通电阻应针对3V ... 施加2.8V的电压时，此MOSFET的额定电阻是35mΩ，因此， ...
... ON）时间来实现的。由于MOSFET要么处于低阻状态，要么处于 ... 技巧十九：驱动N沟道MOSFET晶体管在选择与3.3V单片机配合 ... 的外部N沟道MOSFET时，一定要小心。MOSFET栅极阈值电压表明 ... 施加2.8V的电压时，此MOSFET的额定电阻是35mΩ，因此， ...
... 电路把这个二极管用一个MOSFET给替代了，这个MOSFET被称为“下管”， ... 同步Buck电路工作起来了。但是MOSFET不是理想的开关特性，它 ... 此时，Vin通过两个打开的MOSFET直连到GND，形成了短路 ... 5V、3.3V等。 开关管MOSFET在图中为Q1， Vin接 ...
