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... 施密特触发器输入的MOSFET 驱动器 U1用于驱动 MOSFET，并与 Q2、R8 ... 冷却解决方案。 R6 和 R7 结合 MOSFET 的输入电容 C ISS独立调整上升 ... 散阻尼，MOSFET 栅极开关谐振不会很显着。当 MOSFET 关闭时， ...
... 的电压，用于外部反向电池保护MOSFET的门级驱动。VBAT上电 ... 时刻，防反MOSFET截止，当电池正接时防反MOSFET的体二极管 ... 外部防反MOSFET导通，否则芯片的供电是通过防反MOSFET的体 ... 时间重载工作甚至会损坏防反MOSFET。MPQ6533GUI分为A,B,C三个 ...
... 的电压，用于外部反向电池保护MOSFET的门级驱动。VBAT上电 ... 时刻，防反MOSFET截止，当电池正接时防反MOSFET的体二极管 ... 外部防反MOSFET导通，否则芯片的供电是通过防反MOSFET的体 ... 时间重载工作甚至会损坏防反MOSFET。MPQ6533GUI分为A,B,C三个 ...
... MOSFET关闭的同时，另一个MOSFET不会立即导通，从而避免两个MOSFET ... 不仅会浪费能量，还可能损坏MOSFET或其他电路组件，甚至可能引起 ... 向MOSFET发送任何开关信号，确保前一个MOSFET完全关闭后，下一个MOSFET才 ...
... 飞兆半导体的40V和60V PowerTrench MOSFET器件、高侧开关以及智能点火 ... 系统性和随机性故障，使用分立MOSFET、智能MOSFET功率开关以及IGBT等电子器件来 ... 以及保护电路。 图1，智能MOSFET结构图。 SPD的主要目标是 ...
... “TLE9140”。TLE9140内部结构图48V系统MOSFET[color=rgba(0,0,0,0.9)]功率 ... 除了S3O8,SSO8单MOSFET,STOLL，TOLL封装，另外还有100VSSO8双MOSFET,不同的封装 ...
... 基础上研发了新一代OptiMOSTM7沟槽MOSFET。针对48V应用，可提供80V ... 个电压等级。新一代OptiMOSTM7的MOSFET采用尖端的双多晶硅沟槽技术以及 ... 除了S3O8,SSO8单MOSFET,STOLL，TOLL封装，另外还有100VSSO8双MOSFET,不同的封装 ...
... Triac和可控硅整流器SCR为首选，MOSFET通常用于开关直流电压，而IGBT ... ，英飞凌CoolMOS™7、碳化硅MOSFET和SSI系列固态隔离器等解决 ... 需求。得益于CoolMOS™7、碳化硅MOSFET、SSI系列固态隔离器等技术 ...
... Triac和可控硅整流器SCR为首选，MOSFET通常用于开关直流电压，而IGBT ... ，英飞凌CoolMOS™7、碳化硅MOSFET和SSI系列固态隔离器等解决 ... 需求。得益于CoolMOS™7、碳化硅MOSFET、SSI系列固态隔离器等技术 ...
... 实现驱动MOSFET。MCU信号能否直接驱动MOSFET呢？好多年前，大部分的MOSFET的 ... 3.3V，MOSFET会怎样呢？这时候MOSFET处于线性工作区，MOSFET发热量较大（这种工作在线性区的MOSFET ...
