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... 集成线路保护功能的智能高压侧MOSFET栅极驱动器——EiceDRIVER™2ED2410-EM，该栅极 ... 是英飞凌40/60 V rId9 MOSFET的理想搭档。 该栅极驱动器具有 ... 开关功能令其能够轻松地增加MOSFET的数量，以便控制更大的 ...
... 该稳压器内置一个MOSFET和一个续流二极管，MOSFET提供交流发电机励磁 ... 电压保持稳定不变。 励磁 MOSFET 可以向线圈输送最高13A 的电流 ... 采用了最新的制造工艺，新MOSFET的导通电阻RDS(on)非常低 ...
... 控制器。但是，由于需要使用外部MOSFET，所以这种方法的总解决方案 ... 封装，其中包含所有控制电路和MOSFET。短时间内，其输出电流 ... 输出电流和功率电平与使用外部MOSFET的功率控制器解决方案相近。通过 ... 热和EMI问题。LT8638S和LT8648S集成MOSFET，为快速发展的汽车ADAS所 ...
... 沟道 MOSFET 一同用于反极性保护电路。 其设计用于驱动外部 MOSFET， 串联 ... LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动， 并配有快速响应内部比较器， 可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。 ...
... 600mΩ 的高侧功率 MOSFET 和 300mΩ 的低侧功率 MOSFET，可提供高效的 ... 不会影响 MOSFET 的开启和关闭时间。进而可减轻由 MOSFET 切换引起的 ...
... 基板上混合使用 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET 和 1600V 二极管。电源模块也可 ... 碳化硅半导体实现了这一点。” 碳化硅MOSFET和二极管 为了在 2050 年之前达到 ... 。 这些模块有 75A 和 145A 碳化硅 MOSFET、50A 作为 IGBT 和 90A 作为整流 ...
... 柱PFC(功率因数校正器)。基于SiC MOSFET功率晶体管，该解决方案非常适合 ... 其中包括STM32G4微控制器、40mΩ SiC MOSFET功率晶体管、肖特基二极管和 ... 能系统的第一级电路 •基于SiC MOSFET功率晶体管，峰值能效达到98.7 ...
... ，性能越来越高。传统上基于 MOSFET 和 IGBT 硅晶体管的电机驱动器电路 ... 和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 晶体管的有效替代品。采用 ... HEMT 晶体管的开关损耗明显低于硅 MOSFET 或 IGBT，而且开关频率越高 ...
... GanSENSE 硅和碳化硅中的 IGBT 和 MOSFET 以类似方式驱动。该器件在 ... 减少设计工作。 · 硅 MOSFET，尤其是超结 MOSFET，已在电机驱动中 ... 提高了轻负载效率。使用 SiC MOSFET 可以在全负载范围内获得更 ...
... 会持续到今年第四季度; 消费电子MOSFET面临高库存压力，业界传出，小信号、通用型MOSFET库存水位落在3-4个月 ... 会持续到今年第四季度; 消费电子MOSFET面临高库存压力，业界传出，小信号、通用型MOSFET库存水位落在3-4个月 ...
