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... 高的稳定度。 650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 ... （RDS(on)），650 V CoolSiC™ MOSFET具备优异的热性能。此外， ...
... 更进一步。 从技术角度看，SiC MOSFET功率模块面临的问题和IGBT一样 ... ST的SiC MOSFET差别很大。从那以后，研发SiC MOSFET的头部半导体 ... 于直接采用上游厂商提供的SiC MOSFET模块。 因此，SiC技术应用成功 ...
... 图2）。 图2.包含充电MOSFET调节功能的电量计框图。 图 ... ：热限制 → 降低电压。 CT：MOSFET温度限制 → 降低电压。 压差： ... 标志，在MOSFET温度过高时置位。热限制和MOSFET限制设置使用 ...
... UnitedSiC 的 UJ4SC075006K4S SiC FET MOSFET · Transphorm 的 TP65H150G4PS GaN FET MOSFET 第一款 UJ4SC075006K4S 器件非常 ...
... CoolMOS™ S7超结MOSFET和750V CoolSiC™ MOSFET则能够助力实现高效节能的 ... 抬头显示系统、CoolMOS™和OptiMOS™功率MOSFET、CoolGaN™ SG HEMT开关、CoolMOS™ QDPAK ...
... 电机控制器中，用6个功率 MOSFET管组成电子换向器，其结构 ... 否则要烧坏管子。 6只功率MOSFET管按一定要求顺次导通， ... 换向器的 6 个 MOSFET管，由于6 个MOSFET管组成了 3个相同 ... 电源，一个是14V电源供功率MOSFET驱动用，另一个是5V电源 ...
... 电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，即使MOSFET处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量 ... 散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。MOSFET并联后，不同器件 ...
... 的电压，用于外部反向电池保护MOSFET的门级驱动。VBAT上电 ... 时刻，防反MOSFET截止，当电池正接时防反MOSFET的体二极管 ... 外部防反MOSFET导通，否则芯片的供电是通过防反MOSFET的体 ... 时间重载工作甚至会损坏防反MOSFET。MPQ6533GUI分为A,B,C三个 ...
... 的电压，用于外部反向电池保护MOSFET的门级驱动。VBAT上电 ... 时刻，防反MOSFET截止，当电池正接时防反MOSFET的体二极管 ... 外部防反MOSFET导通，否则芯片的供电是通过防反MOSFET的体 ... 时间重载工作甚至会损坏防反MOSFET。MPQ6533GUI分为A,B,C三个 ...
... 的OCP标识，用于指示具体哪个MOSFET触发了过流，精准定位 ... 的电压，用于外部反向电池保护MOSFET的门级驱动。VBAT上电 ... 时刻，防反MOSFET截止，当电池正接时防反MOSFET的体二极管 ... 时间重载工作甚至会损坏防反MOSFET。MPQ6533GUI分为A,B,C三个 ...
