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... 家车企达成合作，通过SiC MOSFET赋能汽车动力总成电动化； ... 在功率半导体（SiC、GaN、MOSFET、IGBT 和 BCD ）以及MEMS 和 ... 关键使能技术，包括低压 MOSFET、高压 MOSFET、IGBT、碳化硅产品。意 ...
... 变器层面或整车层面，SiC MOSFET都能实现比IGBT更低的 ... 更好的性能和质量。SiC MOSFET相对于IGBT用于主驱逆变 ... 森美的VE-TracTM SiC? SiC在MOSFET中的应用已超过10年， ... 集成了安森美的所有SiC MOSFET技术。裸片连接采用烧结技术 ...
... 栅极控制块或电平转换块控制 MOSFET 的 V G 以将其打开或 ... D 由 MOSFET(N 沟道或 P 沟道)的物理特性、MOSFET 的尺寸、 ... 断漏电流是开关关断时 MOSFET 传递到输出端的电流。关 ...
... 其中包括英飞凌最新的 SiC MOSFET 产品组合。为了提高每台逆 ... EV2flexTM 系列充电基础设施产品提供 SiC MOSFET，这将为产品提供更高 ... 。 Apex Microtechnology 继续开发具有集成 SiC MOSFET 技术的器件系列，从而提高性能 ...
... 频率为3.5 mm × 3.5 mm MOSFET供电，以实现高效转换。除了 ... (在GATEP上)就足以降低M1功率MOSFET的开启边缘速率，并将电磁辐射 ... 脚， 用于单独控制高功率分立式MOSFET开关边缘的上升沿和下降沿 ...
... 电动工具。EPC2071的尺寸是硅MOSFET的1/3，具有相同的导通电阻，QG是MOSFET的1/4，死区时间可以从 ... 兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用 EPC GaN Power ... 集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标 ...
... ，VCC 输出用于为内部电路和 MOSFET 驱动器供电。 该输出由 VL 或 ... 当 VH < VL - 1V 时，QRB MOSFET 线性工作，以涓流充电电流 ... 在此窗口中，低端 Q2 MOSFET 每个周期 (1.3MHz) 开启 100ns。 每当 ...
... 器，其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A ... 稳压器。 TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度 ... 效率通过集成 25m Ω 低侧 MOSFET 和 33m Ω 高侧 MOSFET 得到了最大限度的 ...
... 至输出端。通过在两个MOSFET开关转换过程中进行适当的定时 ... 器运行 除此之外，所有一次侧MOSFET均随ZVS谐振接通，从而完全回收存储在MOSFET寄生输出电容中的能量。与此同时 ... 使用GaN HEMT，因为相比于硅MOSFET，它们的优值系数(FOM)大为 ...
... CSD88537ND 双 N 通道 NexFET TM功率 MOSFET。该模块包含驱动许多不同类型 ... DRV8711驱动 2个 N 沟道 MOSFET H 桥，因此我们需要 8 个 ... 开发的双 60V N 沟道功率 MOSFET。选择外部 FET 时要牢记的 ...
