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... 控制器产品。DZDH0401DW 控制器驱动 P 信道 MOSFET 来仿真理想二极管，在高达 40V ... 由将 DZDH0401DW 与低导通电阻 MOSFET 搭配使用，设计人员能利用远 ... 电源输入断开的情况，然后驱动 MOSFET 进入关闭状态，以隔离任何回流 ...
... 装置整合 125/68mΩ 高/低侧功率 MOSFET，AP6330xQ 装置则整合 70/40mΩ 高/低侧功率 MOSFET，两者皆能提供高效的降压 ... 时间。如此一来便能显著减少切换 MOSFET 通常伴随的高频辐射电磁干扰 (EMI ...
... 的打嗝模式操作 通过高压启动 MOSFET 的主动控制和 X-Cap 放电功能 ... 250kHz 之间，以方便地支持功率 MOSFET 和 IGBT 开关。集成的 1.5A ... （18 kHz 至 250 kHz，用于 MOSFET 和基于 IGBT 的 PFC 转换器） ...
... ，集成了高侧和低侧mosfet。在LM5017中采用的恒定准时 ... 结构，可以驱动Ciss较大的MOSFET。在输出电压低于5V时， ... ： 为了在关断期间驱动同步 MOSFET，在变压器上安装了一个 9 ... 将减少开关尖峰并避免超过同步 MOSFET 栅极和源极之间的最大 ...
... 的分流值，通过打开和关闭 MOSFET 开关来实现。这种方法称为“多 ... 了一种单分流方法，其中 MOSFET 开关关闭，CSM 的 GS0 和 GS1 ... 了一种多分流方法，其中 MOSFET 开关根据测量信号打开和关闭， ... 了多分流方法的测量精度。MOSFET 的开启和关闭动态地改变分流 ...
... 产生过载情况，从而损坏开关（MOSFET/双极结型晶体管 [BJT]）， ... 置 700V/800V MOSFET）在级联配置中使用另一个 500V MOSFET 以满足 1200V ... 和电流额定价格的BJT成本是MOSFET价格的三分之一。
... 针对低Q g NexFET功率MOSFET进行了优化。另外，TPS43061为 ... 40V） TPS43060：针对标准阈值 MOSFET 优化的 7.5V 栅极驱动器 TPS43061： ... ;优化的 5.5V 栅极驱动器 NexFET功率 MOSFET 支持内部斜率补偿的电流模式控制 ...
... 氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 栅极驱动器和高侧和低侧 MOSFET。TI 专有的 ... 热管理。 与具有集成 MOSFET 栅极驱动器和外部 MOSFET 的控制器相比，这种无 ...
... 看到电源路径中有两个 MOSFET 和一个大电容，这在图 ... 。由于 N 沟道 MOSFET 通常提供比 P 沟道 MOSFET更低的 R ... 选择可以直接控制 N 沟道 MOSFET 的 PD 控制器，例如 TI 最近发布 ...
... 控制器器件，可与 N 沟道 MOSFET 一同用于反极性保护电路。 其设计用于驱动外部 MOSFET，串联电源时可模拟理想二极管 ... LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应 ...
