找到约 5170 条相关结果
... (BLDC)设计很复杂。在大量的MOSFET、IGBT和门极驱动器产品组合 ... 、V和W MOSFET通电。这些通常是N-沟道MOSFET，额定电压为 ... 在300 V以上，N沟道MOSFET通常被IGBT取代，因为它们的 ... ，建立的门极驱动与开关(MOSFET/IGBT)匹配表不可能对每个客户 ...
... 电机控制器中，用6个功率 MOSFET管组成电子换向器，其结构 ... 否则要烧坏管子。 6只功率MOSFET管按一定要求顺次导通， ... 换向器的 6 个 MOSFET管，由于6 个MOSFET管组成了 3个相同 ... 电源，一个是14V电源供功率MOSFET驱动用，另一个是5V电源 ...
... 关闭驱动 Q2 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的 HGATE 电压。将连接到 OV ... 瞬变保护 LM74810-Q1 连同适当的 MOSFET 和输入瞬态电压抑制 (TVS)， ... LM74810-Q1 就会重新开启并启用 MOSFET 以进行正常操作。 在 ISO 7637 ...
... 电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，即使 MOSFET处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量 ... 散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。MOSFET并联后，不同器件 ...
... 控制栅极，并在同步整流 (SR) MOSFET 电流降至零时关闭栅极。 在 ... 达到 -86mV 的开启阈值，则 MOSFET 在开启延迟(约 30ns)后开启。 ... 到 -40mV 左右。 该功能在同步 MOSFET 关断时将驱动器电压保持在 ...
... 成本并更加小型化 BD9F500QUZ是内置MOSFET(同步整流型*4)的非隔离型 ... 采取散热措施(通过外置散热器和MOSFET来分散热量)，而ROHM新产品 ... 控制方式。非同步整流由一个MOSFET(晶体管)和一个二极管组成，同步整流 ...
... 硅IGBT驱动器。对于SiC和GaN MOSFET，需要高CMTI >100 kV/μs ... 把第三代SiC MOSFET以及第一代和第二代GaN MOSFET带向市场。 ... 可以全面评估用于驱动SiC和GaN MOSFET的ADI系列IC。 图9.隔离 ...
... 可提供6个步进电流。 MOSFET Q1、Q3和Q5高频(HF)切换 ... )切换。当一个低频MOSFET处于开状态，而且一个高频MOSFET 处于切换状态时 ... L1、L2和Q4。 步骤2)MOSFET Q1关断。因为电感不能 ...
... MOSFET、750 V SiC MOSFET 、900 V SiC MOSFET、1200 V SiC MOSFET、1700 V SiC MOSFET ... 1200 V SiC MOSFET扩展现有宽禁带系列，提供超越硅MOSFET的性能， ...
... 导通回路(绿色箭头)经电感，MOSFET，Rsense回小电容，与截止 ... 的电压波形，由波形可知在MOSFET的Drain端与Diode的正端 ... 的走线。 另外，IC驱动MOSFET的栅极回路里也会回到IC ...
