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... 级TVS 二极管、车规级功率MOSFET，也都是行业优势产品， ... 将拉动市场需求。我们的功率MOSFET、SiC二极管、IGBT、栅极驱动器、固态继电器、SiC MOSFET等产品可为客户提供多种应用 ... 半导体产品如Si和SiC二极管、MOSFET、IGBT等已经广泛被设计工程师 ...
... 器采用具有标准栅极电平的高压MOSFET。当输入下降时，偏置 ... ？移除续流二极管并添加 MOSFET 以降低传导损耗，即四开关 ... 转换器并移动控制 IC 内的 MOSFET（图 3C）并节省宝贵的 ... 降压转换器 图 3C：具有集成 MOSFET 的升降压转换器
... 降压控制器IC集成驱动器的n通道mosfet。当VIN大于VOUT时工作在 ... LM5175-Q1集成了四个n通道MOSFET驱动器，包括两个低侧驱动器 ... VCC调节器提供内部偏置轨道以及MOSFET门驱动器。VCC稳压器由输入电压 ...
... 该LM5175是使用单个电感器和MOSFET集成所有四个开关驱动器的四 ... 。 · 它集成了用于同步 MOSFET 的 MOSFET 驱动器。同步整流导致比二极管更 ... V OUT。较低电压的 MOSFET 具有更好的 R DS ...
... 高开关频率下。例如，功率 MOSFET 在硅和封装方面取得了持续 ... 。控制 IC 的谨慎布局 - 具有靠近 MOSFET 的集成自适应栅极驱动器- 在许多 ... 放置在 PCB 顶部的低剖面功率 MOSFET - 不受较高组件（如电感 ... .执行关键的走线布线，包括 MOSFET 栅极驱动、电流检测和输出电压 ...
... 法半导体生产的碳化硅（SiC）MOSFET 功率模块。 当时，一块SiC芯片 ... 高压高电流场景，而硅基MOSFET效率远不如IGBT，仅适用于 ... 统计显示，相同规格的碳化硅基 MOSFET较硅基 IGBT 的总能量损耗 ...
... 下调。低侧 (LSD) 和整流 (RECT) MOSFET 提供同步整流以实现高效率。为了 ... 开关周期，高边 (HSD) 和 RECT MOSFET 开启以将 C CP充电至 ... 充电后，HSD 和 RECT MOSFET 都打开，LSD MOSFET 关闭，以将 C ...
... ，相比于超结的高压功率MOSFET，在高频软开关工作时， ... 系统的环流，从而降低在功率MOSFET和变压器中产生的导通损耗 ... 的高压功率MOSFET。 （5）、超结的高压功率MOSFET的Coss的 ...
... 会导致电压过冲，从而损坏MOSFET。一种常见的解决方案是 ... 电阻-电容-二极管(RCD)钳位来保护MOSFET（见图1）。钳位 ... 降低反激效率，但可为MOSFET提供保护。 图1. 无源初级 ...
... MOS管 MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即 ... ）。 2）、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性 ...
