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... 或从更多种类的合适的MOSFET中进行选择，用具有焊盘 ... B-或C-selection，工程师可以将MOSFET的性能发挥到极致。” A-selection ... 的电压基准器件。相比直接保护MOSFET，另一种替代方案更为经济 ... 。齐纳二极管被击穿后，MOSFET随即导通，防止漏极-源 ...
... ，而且越来越受欢迎。碳化硅(SiC)MOSFET被越来越多地使用，因为它们 ... 解决方案。该产品阵容包括SiC MOSFET、带有共封装SiC二极管的混合IGBT、超结MOSFET、汽车功率模块(APM)、SiC二极管 ...
... 氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 或可以关闭 FET 主体的单个功率 MOSFET 来实现真正的 ... 重要。与 DC/DC 转换器的 MOSFET 不同，负载隔离开关可以打开或 ... R DS(on) < 25mΩ的 MOSFET在 500mA 负载下进行 3V 至 5V ...
... 2.直流电机驱动 电子电机控制是 MOSFET 驱动器的主要应用之一。为直流 ... 电感中的电流会产生相对于 MOSFET 通道和体二极管的负电压。 ... 和动力系统布局。您可以看到 MOSFET 相对靠近，但由于 PCB 板尺寸 ...
... 逻辑等输出产品、用于IGBT和MOSFET栅极驱动的大电流输出产品、 ... 交流线路的控制。 光继电器（MOSFET输出）：光伏阵列（光电二极管 ... 。通过这种操作，它可以用作MOSFET输出的继电器开关。 在设计生产 ...
... Effect Transistor) 4.金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor) 5 ... GTO为电流驱动控制型器件; (2)MOSFET、 IGBT均为电压驱动控制型 ...
... 会导致电压过冲，从而损坏MOSFET。一种常见的解决方案是 ... 电阻-电容-二极管(RCD)钳位来保护MOSFET（见图1）。钳位 ... 降低反激效率，但可为MOSFET提供保护。 图1. 无源初级 ...
... 会导致电压过冲，从而损坏MOSFET。一种常见的解决方案是 ... 电阻-电容-二极管(RCD)钳位来保护MOSFET（见图1）。钳位 ... 降低反激效率，但可为MOSFET提供保护。 图1. 无源初级 ... 有源钳位设计中，初级MOSFET和有源钳位开关以互补 ...
... 可测量高侧和低侧功率MOSFET中的电流。 一旦高端开关电流限制跳闸，高端MOSFET关断，低端MOSFET关断接通以降低 ... 侧开关电流时 限制，低端MOSFET关闭，高端开关再次打开。 ...
... 电感电流保持为零，二极管和 MOSFET 都不导通。这一非 ... 在周期结束时达到零，正如 MOSFET 会在下一周期开始时导通 ... CCM 工作，并避免峰值电流受 MOSFET、二极管和输出电容影响。然后 ... 方程求出 tON(max) (所允许的 MOSFET 导通时间最大值) 与 VIN ...
