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... 集成型碳化硅JMOSFET（JBS integrated SiC MOSFET）结构技术，拥有自主设计、 ... 级650V/1200V/1700V系列碳化硅二极管和MOSFET均已规模量产；按照欧洲 ... 可靠性保证。 瀚薪采用自有SiC MOSFET和二极管设计高功率密度模块， ...
... ● 使用基础示波器测量高速MOSFET、高速IGBT、SiC MOSFET，由于带宽和采样率 ... 的震荡，当测试高速MOSFET、高速IGBT、SiC MOSFET时情况更加严重。 ... 不高。但随着高速MOSFET、高速IGBT、SiC MOSFET的出现，原先功率 ...
... 产品（Trench MOSFET / SGT MOSFET / Super Junction MOSFET / Planar MOSFET）SiC二极管、SiC MOSFET等系列， ... 书内容的对比。 作为全球碳化硅MOSFET领先的生产商，美浦森半导体 ...
... 正加速进行。主要产品包括以MOSFET、IGBT为代表的功率半导体产品 ... 智能传感器以及MCU等。以MOSFET为例，MOSFET是华润微最主要 ... 高压全系列MOSFET产品的企业，也是目前国内拥有全部主流MOSFET器件结构 ... 销售额计，华润微在中国MOSFET市场中排名第一，仅次于英飞 ...
... ))，支持并联 MOSFET设计，以增加输出功率能力。60 V MOSFET产品型号为IAUTN06S5N008、IAUTN06S5N008G 和 IAUTN06S5N008T;120 V MOSFET产品型号为 ...
... ，并延长低边功率 MOSFET的开关时间；增加MOSFET栅极电阻并引入不 ... Ω电阻和3 µH电感 当低边MOSFET栅极上安装470欧姆栅极电阻时 ... 蓝线是负载上的电压 (MOSFET 的 VDS 漏源电压)。 ▲图9 ...
... 调节器。主（P通道MOSFET)和同步（N通道MOSFET)开关都建立在内部 ... 每个周期开始时，振荡器打开P-MOSFET开关到从VIN到SW输出的 ... 电感电流大于误差放大器输出，P-MOSFET开关被关闭。当负载电流增加 ... 变。当顶部P-MOSFET开关关闭时，底部同步N-MOSFET开关被打开。 ...
... 正确地箝位到低电平， MOSFET可能会工作在线性区。 图 ... DSO8驱动器。 图10：为SiC MOSFET提供可配置浮动双极偏置 ... ，EiceDRIVERTM 2EDN产品搭配英飞凌MOSFET，可以助推高功率应用实现 ...
... 的工作原理 电动车控制器主要由功率MOSFET、驱动电路、微处理器等部分组成 ... 的转速和方向。 1. 功率MOSFET：功率MOSFET是电动车控制器中的关键元件 ... 控制器的常见故障 1. 功率MOSFET损坏：功率MOSFET是电动车控制器中最容易损坏 ...
... 直流系统，则基于标准平面 MOSFET。TRIAC 或 MOSFET 负责实现开关功能，而 ... 电压范围为 650V 到 1700V 的 EliteSiC MOSFET 和功率模块，因此这些器件也 ... 工艺技术的不断进步和独立 SiC MOSFET 的电阻进一步降低，固态断路器的 ...
