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... 要求一再提升。然而由于传统硅 MOSFET 的性能接近极限，效率提高的 ... 电流检测电路成本高，而且硅 MOSFET 的体二极管反向恢复速度较慢 ... ，将电流检测功能、驱动器和 MOSFET 进行了统一封装，从而提供更 ... 优化。集成了驱动器集成电路和功率 MOSFET，来完善功率级开关功能。 ...
... 路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集 ... 集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一 ... 电压高的负载)。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很 ...
... 的电源主力——金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT)——只有 ... 功率密度和高效率应用。 与硅 MOSFET 不同，GaN 在第三象限中 ... 的同时提高功率密度。虽然硅 MOSFET 和 IGBT 提供低功率密度和效率 ...
... 例如，功率级所用的模拟组件MOSFET驱动器，可以很方便地与数字 ... 功率开关(通常为MOSFET)的导通与关断。由于MOSFET具有较大的 ... 通过驱动后控制外接的功率MOSFET，而电源管理部分也可以通过 ...
... 要求一再提升。然而由于传统硅 MOSFET 的性能接近极限，效率提高的 ... 电流检测电路成本高，而且硅 MOSFET 的体二极管反向恢复速度较慢 ... ，将电流检测功能、驱动器和 MOSFET 进行了统一封装，从而提供更 ... 优化。集成了驱动器集成电路和功率 MOSFET，来完善功率级开关功能。 ...
... 电感电流保持为零，二极管和 MOSFET 都不导通。这一非 ... 在周期结束时达到零，正如 MOSFET 会在下一周期开始时导通 ... CCM 工作，并避免峰值电流受 MOSFET、二极管和输出电容影响。然后 ... 方程求出 tON(max) (所允许的 MOSFET 导通时间最大值) 与 VIN ...
... 常见并且越来越受欢迎。碳化硅 (SiC) MOSFET 越来越多地用于受益于更低 ... 设计中，仍可使用超级结 MOSFET，具体取决于功率水平、电压和 ... 包括SiC MOSFET、带有共同封装 SiC 二极管的混合 IGBT、超级结 MOSFET、汽车 ...
... 驱 -能够控制并驱动3相功率MOSFET（N沟道6个） -PWM ... 继电器的三通道预驱、外部MOSFET VGS钳位功能 自诊断功能 ABIST ... 压检测、过压检测、 外部MOSFET VGS／VDS检测、 过热检测 ...
... 要求一再提升。然而由于传统硅MOSFET的性能接近极限，效率提高的 ... 电流检测电路成本高，而且硅MOSFET的体二极管反向恢复速度较慢 ... ，将电流检测功能、驱动器和MOSFET进行了统一封装，从而提供更 ... 优化。集成了驱动器集成电路和功率MOSFET，来完善功率级开关功能。 ...
... 要求一再提升。然而由于传统硅MOSFET的性能接近极限，效率提高的 ... 电流检测电路成本高，而且硅MOSFET的体二极管反向恢复速度较慢 ... ，将电流检测功能、驱动器和MOSFET进行了统一封装，从而提供更 ... 优化。集成了驱动器集成电路和功率MOSFET，来完善功率级开关功能。 ...
