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... 应用。 具有集成金属氧化物半导体 FET (MOSFET) 的新型负载点 DC/DC 降压转换 ... 几个部分：MOSFET 开关损耗(高侧和低侧)、MOSFET 栅极驱动损耗、低侧体二极管损耗和 MOSFET 输出电容损耗 ...
... SIC反向恢复时间与SI MOSFET相比如何？ SiC MOSFET 与其硅对应物一样，具有 ... 的 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 的 trr 之间的比较。可以看出，SiC MOSFET的 ...
... 的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用 ... mm，比第二小封装(DFN0604)的MOSFET使用的空间少13%。令人惊叹 ... 的功率密度。 该新系列小型MOSFET包括： PMX100UN20V，N沟道TrenchMOSFET ...
... SiC FET MOSFET · Transphorm 的 TP65H150G4PS GaN FET MOSFET 图 1：使用的两个 MOSFET SiC 和 ... ，是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分。该组件基于“级 ...
... 能量。次级电流变为零，功率 MOSFET 开启，初级电流从零开始增加 ... 次级电流(通道 2)变为 0A，功率 MOSFET 就会开启，并且漏源电压 ... ，开关频率约为 100 kHz。 MOSFET STP4N150 的原型电容充电器的评估测 ...
... 尺寸的 MOSFET，而高效率需要具有低 RDS_ON 的 MOSFET。 例如，NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B是一款 60V N 沟道 MOSFET。它 ...
... 内置 10mΩ 下管 MOSFET (LS-FET) 和15mΩ 同步上管 MOSFET (HS-FET)，可 ... 输出电压 (VOUT) · 集成 15mΩ/10mΩ 功率 MOSFET · 19A 内部开关电流限制或可 ...
... 然而，在现实世界中，功率 MOSFET 和印刷电路板 (PCB) 布局中的寄生 ... ：具有寄生效应的半桥驱动器 MOSFET过电流 我要提到的最后一个 ... MOSFET 的栅极驱动器的系统，我们必须注意不要违反 MOSFET 安全工作区域。功率 MOSFET ...
... 设计可能会遇到启动问题——甚至是 MOSFET 或集成电路故障。 LM25066 设计计算器等 ... 控制器（例如TPS24770）可能会限制 MOSFET 的功耗，而其他控制器可能不会。 为了检查 MOSFET 是否存在风险，我们需要考虑热 ...
... 输入开关网络中的 MOSFET 输出电容器进行放电。如果在 MOSFET 栅极信号变高 ... ）对一个 MOSFET的 C oss进行放电并为另一个 MOSFET的 C oss充电。假设半桥的两个 MOSFET的 C ...
