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... 受限的设计都使用带有集成功率 MOSFET (iFET) 的负载点 (POL) 转换器来 ... 特定特性或功能的控制器。分立式 MOSFET 或电源模块在满足效率、热 ... 可能不是可用的选择。 分立式 MOSFET 和电源模块允许我们根据需要调整 ...
... 控制器和外部 MOSFET 时，这些应用的电路板空间非常有限。 MOSFET 和封装技术 ... TI 的 2.x NexFET™ 功率 MOSFET等新一代 MOSFET在给定的硅面积中提供 ... 的PowerStack™ 封装技术将集成电路 (IC) 和 MOSFET 堆叠在一起（见图 1） ...
... 功耗。 19 驱动N沟道MOSFET晶体管 在选择与 3.3V 单片机配合 ... 的外部 N 沟道MOSFET 时，一定要小心。MOSFET 栅极阈值电压表明 ... ，可以显著减小漏电流。 对于 MOSFET，低阈值器件较为常见， ...
... 。之前的讨论假设N沟道MOSFET开关在栅极电压为低电平(例如 ... )N沟道MOSFET，栅极电压必须比电源电压至少高出MOSFET阈值电压 ... N沟道MOSFET，同时静态功耗较低。P沟道MOSFET不需要使用 ... ，而高电压打开P沟道MOSFET开关。 再来看电阻分压器 ...
... 达到 -80mV 的开启阈值，则 MOSFET 在开启延迟 tDON(大约 20ns)后开启 ... ，降低栅极电压电平以增大同步 MOSFET 的导通电阻。 使用这种控制 ... 发生这种情况，建议在 SENSE 和 MOSFET 漏极之间放置一个外部电阻器。 ...
... ，保证通讯系统正常运行。碳化硅MOSFET的高频特性使得电源电路中的 ... 器件种类多样，主要包括二极管、MOSFET、IGBT等，分别适用于不同 ... 碳化硅器件市场还以二极管为主，MOSFET尚未大规模推广，IGBT仍在研发 ... 目前最主要的碳化硅器件。碳化硅MOSFET可替代硅基IGBT，大规模应用 ...
... ，保证通讯系统正常运行。碳化硅MOSFET的高频特性使得电源电路中的 ... 器件种类多样，主要包括二极管、MOSFET、IGBT等，分别适用于不同 ... 碳化硅器件市场还以二极管为主，MOSFET尚未大规模推广，IGBT仍在研发 ... 目前最主要的碳化硅器件。碳化硅MOSFET可替代硅基IGBT，大规模应用 ...
... 热回路陶瓷电容对称放置在功率MOSFET周围，以遏制EMI噪声。ADI ... 降压-升压布局，通过重新布置功率MOSFET和热回路电容可以改善其最 ... )所示，热回路电容位于中心MOSFET的左侧和右侧，形成相同的 ... 大面积布局，以耗散电感和MOSFET的热量。但同时，大部分裸露 ...
... ) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型 SiC MOSFET 门极驱动器一起使用。NCP51561 是 ... 新器件适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供 ... 半导体提供阵容广泛的 SiC MOSFET，它们比硅 MOSFET 提供更高能效。低 ...
... ！高开路电压有助于驱动高压功率MOSFET东芝电子元件及存储装置株式会社（ ... ”，适用于驱动高压功率MOSFET的栅极，这类MOSFET用于实现隔离式固态 ... 只需一个就能驱动高压功率MOSFET的栅极。这有助于减少部件数量 ... 式SSR：用于开关的高压功率MOSFET的栅极驱动。工业设备：用于 ...
