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新方案发布 | 创新的超高密度离线电源方案

文章 2021-08-19 16:06

... ) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型 SiC MOSFET 门极驱动器一起使用。NCP51561 是 ... 新器件适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关,提供 ... 半导体提供阵容广泛的 SiC MOSFET,它们比硅 MOSFET 提供更高能效。低 ...

健康催生可穿戴多功能需求 东芝多款器件直面新机遇

文章 2021-08-19 15:11

... 的单元,包括一个输出MOSFET、驱动电路以及放电MOSFET,可以实现配电、 ... 设计需求。3.2 超小封装MOSFET新一代可穿戴设备不断突破消费 ... 其他创新技术的演进需要微型化MOSFET,用以提供领先的性能和效率 ... N沟道和SSM3J56ACT P沟道MOSFET尺寸仅为1.0mm×0.6mm×0 ...

安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案

文章 2021-06-23 14:08

... ) 门极驱动器或 NCP51561 隔离型 SiC MOSFET 门极驱动器一起使用。 NCP51561 是 ... 新器件适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关,提供 ... 半导体提供阵容广泛的 SiC MOSFET,它们比硅 MOSFET 提供更高能效。低 ...

安森美半导体高能效方案赋能机器人创新,助力工业自动化升级

文章 2021-04-22 14:07

... 同步(SEPIC)升压控制器,NCV898031集成一个MOSFET驱动器,驱动FDMC86116LZ 100V 7.5A 103m ... 电源由NCV6323内部补偿稳压器 (集成的MOSFETMOSFET驱动器) 提供。 总结 机器人是实现 ...

开关模式电源电流检测——第三部分:电流检测方法

文章 2021-02-26 12:09

... 0612和1225。 基于功率MOSFET的电流检测 利用MOSFET RDS(ON)进行电流检测, ... 谷值或电流下限。 图4.MOSFET RDS(ON)电流检测 虽然价格低廉, ... %。另外,如果使用外部MOSFET,则必须考虑MOSFET寄生封装电感。这种类型 ...

关于IGBT的工作原理以及它的优缺点分析,你了解吗?

文章 2021-02-06 11:51

... 驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其 ... 和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与 ... 栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给 ...

关于开关电源转换器中的SiC器件的性能,你了解吗?

文章 2021-02-06 11:00

... ,例如碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET)。 第一代半导体材料主要是 ... 电池充电器快速增长的市场。碳化硅MOSFET之所以如此具有吸引力,是因为它们具有 ... 中设计的,可以充分利用碳化硅MOSFET。 SIC功率器件(例如SICMOS) ...

老工程师谈:BUCK电路的损耗计算

文章 2021-01-18 10:18

... 公式: PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗,如果是外置MOSFET这个参数会 ... 。 但是对于电源芯片的内置MOSFET,一般只会提供Rds,关于 ...

如何使汽车更智能、安全、环保和节能?全方位领先方案了解一下!

文章 2021-01-11 19:08

... 封装技术,包括分立IGBT、SiC MOSFET、隔离门极驱动器和创新的 ... 800 V电池电动汽车系统,SiC MOSFET提供优于硅的开关性能和更 ... 推出集成SiC的混合IGBT、SiC MOSFET、汽车功率模块 (APM) ,应用于 ...

高速MOS驱动电路设计和应用指南.pdf

下载 2020-12-17 18:27

... 解决同步整流器应用中栅极驱动对 MOSFET的要求。另外,文章中还有 ... 是在电源应用上,MOSFET本身具有阻抗特性。MOSFET漏源端的电压 ... 线性关系。这种线性关系,以 MOSFET的Rpsm表现出来,即导通 ... pn结-22mV/℃的温度系数相反,MOSFET有一个正的温度系数,约 ...