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... 封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 ...
... 程序•高柔性集成10M、24V功率MOSFET的外部补偿•可编程软启动时间 ...
... Ω(LS)/100-mΩ(HS)mosfet•25uA静态电流•内部补偿和软启动 ...
... Ω(LS)/20-mΩ(HS)mosfet•40uA静态电流•内部补偿和软启动 ...
... 这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型 ...
... 电力电子器件,它综合了GTR 和MOSFET 的优点,控制方便、开关速度 ...
... 这就产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型 ...
... 集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制 ...
... 二次击穿问题。KBT是将MOSFET场效应晶体管)和GTR集成一体 ...
... 器件。它是由高频功率器件MOSFET与双极型晶体管复合而成 ...