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... 优势 CoolMOS开关管作为新一代功率MOSFET，以其低开关损耗、高 ... (开关电荷)和Coss(输出电容)是衡量MOSFET开关性能的重要指标。CoolMOS具有 ... ，提升系统效率。 提升可靠性 防止MOSFET击穿：在电源启机、过载 ...
... 电路需要变形为包含寄生电容(如MOSFET的漏-源极间寄生电容Coss ... 寄生电容(Cstray)的形式。在开关MOSFET的驱动信号死区时间(Tdead)内， ... 的同步整流MOSFET，并设计合理的驱动电路，以保证MOSFET的栅极电压 ...
... 。 在图1中，会因MOSFET的导通电阻和ID而产生 ... 由于在TON区间MOSFET是导通的，因此VDS是MOSFET导通电阻和 ... 线性近似法导通损耗计算公式 MOSFET关断时的功率损耗在图 ... 如公式（4）所示，MOSFET开关工作时的总功率损耗为 ...
... :同步整流Buck是一种采用同步MOSFET替代传统续流二极管的Buck变换 ... 。同步整流技术的核心是用MOSFET管代替传统的肖特基二极管。与传统二极管相比，MOSFET具有更低的导通电阻和 ... 综上所述，同步整流Buck技术通过使用MOSFET替代传统二极管，实现了高效的 ...
... 器件。1.**结构特点**-IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗、快速的开关 ... 等优点。它的结构类似于MOSFET，具有一个绝缘栅极，但在 ... 较小。-**高输入阻抗**：像MOSFET一样，IGBT的栅极是绝缘的 ... 断。-**快速开关速度**：虽然不如MOSFET那么快，但相对于传统的 ...
... 佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势 ... 茜咬住650VSiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN器件的必然趋势！BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更 ...
... 压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品，该产品性能优异，可靠性 ... 后续即将推出)。3、耗尽型MOSFET产品在应用中对标的主要特点 ... 电流参数：一般主要关注耗尽型MOSFET在一定栅极偏压下的饱和电流 ... 的应用。因此，对于耗尽型MOSFET的替代选型，通常“参数是否一模一样 ...
... 置LIN通信+双功率开关（700mΩMOSFET）英飞凌MOTIX™TLE9842-2QX是 ... 等高效控制。配套产品包括OptiMOS™MOSFET、XENSIV™传感器及电源管理IC， ... ，结合OPTIREG™电源管理IC与OptiMOS™MOSFET，优化能效与性能。电动汽车 ...
... 的芯片。2、功率管部分MOSFET的选型及方案设计，在大 ... 电流经过的路径是电解电容、MOSFET，电流采样电阻。高温会影响电容的寿命，MOSFET在高温下过电流能力下降， ... ；MOSFET采用多个MOSFET并联方式，避免热量集中在单个MOSFET上，确保MOSFET的 ...
... 挽输出电路图，包含用三极管和MOSFET两种实现方式的图示)推挽 ... 来“拉”高电平。它只有一个MOSFET，自身只能输出低电平，需要 ... 输出通过控制MOSFET的导通与截止来控制输出电平。只有MOSFET导通时，才能输出低电平；MOSFET截止时， ...
