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... -Effect Transistor, IGFET)，其中IGFET又包括MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等类型 ... 为导通状态的转折点，是MOSFET操作的重要基准。 4. 跨导 ...
... DrMOS，全称Driver-MOSFET，是一种由Intel在2004 ... 的高效节能技术。它通过将MOSFET和MOS驱动器集成到同一封装中 ... 优化。相较于传统的分离式MOSFET，集成后的DrMOS在占用的 ...
... 非常适用于驱动功率场效应管(MOSFET)的大电流图腾柱式底部输出 ... 器件。 IGBT集MOSFET和GTR的优点于一体，具有功率MOSFET高输入阻抗 ...
... 性能，高达20 kHz的 ~230 nC/MOSFET栅极驱动性能，以及SPI通信功能 ... 。这一自适应MOSFET控制功能，可以补偿系统中MOSFET参数的波动。 ...
... 滤波。滤波器可以防止高速开关的 MOSFET 通过电缆辐射出高频干扰。本 ... 调开关频率和驱动四个外部 MOSFET 的能力，设计自由度很高。 ... 大约是额定电流的 30%。60V MOSFET 采用了低导通电阻(RDS(on ...
... 将PWM控制器、高耐压功率MOSFET、保护电路等高度集成，外围 ... 不加保护极容易使功率开关MOSFET烧坏。加入由R1、C2和 ... 135 V，查阅TOP223Y数据手册知MOSFET导通时的漏极至源极 ...
... 主要是因为 SiC 肖特基二极管和 MOSFET 体二极管之间存在特性差异。这种 ... 原理图进行微调，进而提取 SiC MOSFET 的分立和功率模块损耗。这 ... 。无论是 IGBT、碳化硅 (SiC) 还是硅 MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的 ...
... 滤波。滤波器可以防止高速开关的 MOSFET 通过电缆辐射出高频干扰。本 ... 调开关频率和驱动四个外部 MOSFET 的能力，设计自由度很高。 ... 大约是额定电流的 30%。60V MOSFET 采用了低导通电阻(RDS(on ...
... ™ IGBT7系列，业内领先的1200V CoolSiC™ MOSFET功率器件，以及配套使用的EiceDRIVER ... 。 得益于英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET以及TRENCHSTOP™ IGBT7系列功率半导体器件的 ...
... 意法半导体第三代SiC MOSFET助力吉利相关品牌纯电车型提高 ... 法半导体先进的第三代SiC MOSFET器件。电驱逆变器是电驱系统的核心, 而碳化硅MOSFET可以全面提高电驱逆变器 ...
