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... MOSFET（Enhancement-ModeMOSFET）和耗尽型MOSFET（Depletion-ModeMOSFET），下面将讨论增强型MOSFET的结构和损耗。MOSFET结构：增强型MOSFET通常包括以下主要 ...
... :MOSFETP沟道MOSFET与N沟道MOSFET[color=rgba(0,0,0,0.9)]MOSFET是一 ... )]图3:MOSFET结构增强型MOSFET和耗尽型MOSFET[color=rgba(0,0,0,0.9)]MOSFET的名称 ...
... 和雪崩能量额定值大的MOSFET。如果超过MOSFET的电流或者能量额定值 ... 位仿真示例2.双门极MOSFET介绍IAUTN08S5N012L双门极MOSFET就是以优化电容充电和 ... 。以往，平面工艺的MOSFET经常被用作基于MOSFET的钳位电路。然而 ...
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... ，Vth较低的2号MOSFET与1号MOSFET之间的总功率损耗差 ... 结果，具有相同Vth值的MOSFET并联时，MOSFET外部驱动速度的快慢是 ... 电容（Ciss）的MOSFET的开通时刻将比另一个MOSFET延迟，这会 ... 相反的影响。如果一个MOSFET的Ciss高于其他并联MOSFET的Ciss，其Eon ...
... 小的MOSFET，在大电流的应用里，MOSFET的损耗我们与MOSFET内阻成 ... 下，单个MOSFET可靠性会高于并联MOSFET，在大电流应用里MOSFET并联可靠性会好一些。因为大部分MOSFET在 ...
... 详细信息，请参阅本文“MOSFET与IGBT”。四、MOSFET和IGBT的应用特点 ... 即开关和整流器。MOSFET开关电源虽然对于选择IGBT或MOSFET的问题并没有 ... 。为什么我们有时用MOSFET，有时用IGBT而不用MOSFET？不能简单地 ...
... 梯度。并联分立MOSFET的动机尽管存在上述局限，分立MOSFET并联仍具备不可 ... 图2开关能量示例：单个MOSFET和两个MOSFET并联开关能量的变化曲线 ... 将功率模块中的一个MOSFET与两个分立MOSFET进行比较，则该模块 ... 功率模块中的单个MOSFET与分立形式的两个MOSFET，模块反而处于劣势 ...
... 雪崩不会击穿损坏功率MOSFET管。如果功率MOSFET管内部单元一致性非常好 ... 硬盘后再打开功率MOSFET管，所以，调节功率MOSFET管的外围驱动电路 ... 电阻值最小，就是功率MOSFET管的功率MOSFET管。问题22：隔离 ... ：VGS(th)是功率MOSFET管固有特性，表示功率MOSFET管在开通过程中 ...
