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... 。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the ...
... 实验,验证了此处理论分析与碳化硅MOSFET驱动电路的设计。Silicon carbide(SiC ... the optimal design of driver for SiC MOSFET.A SiC MOSFET gate driver is designed,and the printed ...
... power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（MOSFET） and insulated gate bipolar transistor（IGBT ... ,the C_（gs） of low power MOSFET is within 10~100 pF,while the C_ ...
... 参数值会影响MOSFET开关特性的固有属性,提出一种基于MOSFET适用于航空 ... 涌抑制电路。通过MOSFET外围稍加电阻电容器件等同于改变MOSFET的寄生电容,使 ... 出现浪涌,此时使MOSFET开关管工作于线性区,通过MOSFET的恒流作用 ...
... with silicon（ Si） MOSFET,silicon carbide（ Si C） MOSFET is more conducive to meet ... upper and lower switch limits the Si C MOSFET performance in phase-leg configuration. Based on analyses ...
... 花一点时间，一点点来解析MOSFET的驱动技术，以及在不同的 ... 有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET这种情况有什么危害 ... 电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动 ... 我会花一点时间，--点点来解析MOSFET的驱动技术，以及在不同的 ...
... 。相较于硅（Si）MOSFET,SiC MOSFET的栅源极承受负压 ... switch transient.Compared with silicon（Si） MOSFET, SiC MOSFET gate source is less able to bear ...
... 了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器 ... MOSFET drive and protection circuit; Calculate the power of MOSFET driver; On the basis of analysis the power MOSFET ...
... 电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动 ... 分析起来并不简单。关键字：MOSFET驱动应用MOSFET作为功率开关管，已经是 ... 电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动 ... 有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼 ...
... 不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ ... 产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热 ... 针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的 ...
